最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小功率增益 Gp

  • 6dB
  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 30000MHz
  • 1500MHz
  • 250MHz
  • 175MHz
  • 4000MHz
  • 500MHz
  • 550MHz
  • 40MHz
  • 180MHz
  • 170MHz
  • 20MHz
  • 1000MHz
  • 4500MHz
  • 300Hz
  • 200MHz
  • 115MHz
  • 30MHz
  • 1.5GHz
  • 142MHz
  • 120MHz
  • 100MHz
  • 140MHz
  • 150MHz
  • 0.025MHz
  • 50MHz
  • 7000MHz
  • 2MHz
  • 0.2MHz
  • 0.8MHz
  • 0.4GHz
  • 1MHz
  • 10MHz
  • 145MHz
  • 3500MHz
  • 130MHz
  • 20000MHz
  • 6000MHz
  • 80MHz
  • 7MHz
  • 8MHz
  • 75MHz
  • 70MHz
  • 4MHz
  • 125MHz
  • 60MHz
  • 1800MHz
  • 300MHz
  • 3MHz
  • 11000MHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 0.6mA/V
  • 5.0mA/V
  • 9.4A/V
  • 2mA/V
  • 4.5mA/V
  • 0.07mA/V
  • 21mA/V
  • 10mA/V
  • 10.0mA/V
  • 2.0mA/V

二极管 TVS VRWM

  • 342V
  • 26V
  • 12V
  • 5V
  • 15V 双向 DO-214AC
  • 24V 双向 DO-214AC
  • 3.3V

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

晶体管 IGBT模块 Vceo

  • 1200V 50A 1200V
  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

齐纳二极管 Vz

  • 180V
  • 24V
  • 51V
  • 43V
  • 12V
  • 75V
  • 11V
  • 6.2V

齐纳二极管 VZ

  • 68V
  • 6V
  • 18V

齐纳二极管 Vz

  • 130V
  • 150V

齐纳二极管 Vz

  • 8.2V
  • 30V

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V 500mW
  • 3.9V
  • 22V
  • 3V
  • 91V

齐纳二极管 Vz

  • 120V
  • 36V
  • 14V
  • 33V

齐纳二极管 Vz

  • 20V
  • 200V
  • 4.4-5V
  • 100V
  • 39V
  • 62V
  • 5.6V
  • 16V
  • 13V

齐纳二极管 Vz

  • 3.6V
  • 15V
  • 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V
  • 7.5V
  • 160V

压敏电阻 VRMS

  • 300V
  • 275V
  • 35V
  • 150V
  • 575V
  • 625V
  • 30V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.6V
  • 0.65V
  • 2.8V
  • 1V
- IGBT - 单
- IGBT阵列
- JFET
- MOSFET - 单
- MOSFET阵列
- SCR晶闸管
- TVS - 电涌抑制变阻器, MOV & MLV
- TVS - 其它
- TVS二极管
- TVS晶闸管
- 场效应管 - 射频
- 触发二极管 (DIAC & SIDAC)
- 单结晶体管 (UJT)
- 二极管 - 单齐纳
- 二极管 - 可变电容值
- 二极管 - 射频
- 二极管 - 小信号
- 二极管 - 整流器 单
- 二极管 - 整流器阵列
- 更多半导体 - 分立器件
- 齐纳二极管阵列
- 桥式整流器
- 双极性 - 预偏置/数字式
- 双极性晶体管 - 射频
- 双极性晶体管(BJT) 单
- 双极性晶体管(BJT)阵列
- 双向晶闸管(TRIAC)
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
RENESAS - 2SJ218-E - 场效应管 MOSFET P TO-3PFM RENESAS - 2SJ218-E - 场效应管 MOSFET P TO-3PFM
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-45A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.06ohm
  • 电压 @ Rds测量:-10V
  • 电压, Vgs 最高:-20V
  • 功耗:60W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:TO-3PFM
  • 功率, Pd:60W
  • 封装类型:TO-3PFM
  • 引脚节距:5.45mm
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
  • 电压, Vds 典型值:-60V
  • 电流, Id 连续:45A
  • 电流, Idm 脉冲:180A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
  • 隔离电压:4kV
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国164
    1 1 询价,无需注册 订购
    RENESAS - 2SK1317-E - 场效应管 MOSFET N TO-3P RENESAS - 2SK1317-E - 场效应管 MOSFET N TO-3P
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:2.5A
  • 电压, Vds 最大:1500V
  • 开态电阻, Rds(on):12ohm
  • 电压 @ Rds测量:15V
  • 电??, Vgs 最高:4V
  • 功耗:100W
  • 封装类型:TO-3P
  • 针脚数:3
  • 功率, Pd:100W
  • 封装类型:TO-3P
  • 引脚节距:5.45mm
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
  • 电压, Vds 典型值:1500V
  • 电流, Id 连续:2.5A
  • 电流, Idm 脉冲:7A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海10
    新加坡9
    英国94
    1 1 询价,无需注册 订购
    RENESAS - 2SJ221-E - 场效应管 MOSFET P TO-220 RENESAS - 2SJ221-E - 场效应管 MOSFET P TO-220
  • 晶体管极性:P沟道
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):0.22ohm
  • 功耗:75W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • 功率, Pd:75W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 引脚节距:2.54mm
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
  • 电压, Vds 典型值:-100V
  • 电流, Id 连续:20A
  • 电流, Idm 脉冲:80A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:-2V
  • 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    RENESAS - 2SK1336-E - 场效应管 MOSFET N TO-92 RENESAS - 2SK1336-E - 场效应管 MOSFET N TO-92
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:300mA
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):2.5ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:0.4W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:TO-92
  • 针脚数:3
  • 功率, Pd:0.4W
  • 封装类型:TO-92
  • 引脚节距:1.27mm
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:0.3A
  • 电流, Idm 脉冲:1.2A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国7370
    1 1 询价,无需注册 订购
    MICROSEMI - MS503 - 肖特基二极管 5A 30V MICROSEMI - MS503 - 肖特基二极管 5A 30V
  • 二极管类型:肖特基式
  • 电压, Vrrm:30V
  • 电流, If ??均:5A
  • 电流, Ifs 最大:300A
  • 封装形式:DO-204AB
  • 外径:6.35mm
  • 外部长度/高度:9.52mm
  • 封装类型:DO-204AB
  • 正向电压, 于If:0.49V
  • 正向电流 If:5A
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKKH 250/16 E - 晶闸管模块 SEMIKRON - SKKH 250/16 E - 晶闸管模块
  • 晶闸管模块
  • 250A
  • 1600V
  • SEMIPACK 3
  • 美国 0
    上海 0
    美国28
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    DYNEX - DS1104SG16 - 密封式二极管 1849A 1600V DYNEX - DS1104SG16 - 密封式二极管 1849A 1600V
  • 二极管类型:标准恢复
  • 电压, Vrrm:1600V
  • 电流, If 平均:1849A
  • 电流, Ifs 最大:20000A
  • 封装形式:G
  • 外径:58.5mm
  • 外部长度/高度:27mm
  • 封装类型:G
  • 正向电压, 于If:1.3V
  • 温度 @ 电流测量:75°C
  • 热阻, 结至外壳 A:0.032°C/W
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    DYNEX - DS502ST14 - 密封式二极管 866A 1400V DYNEX - DS502ST14 - 密封式二极管 866A 1400V
  • 二极管类型:标准恢复
  • 电压, Vrrm:1400V
  • 电流, If 平均:866A
  • 电流, Ifs 最大:8000A
  • 封装形式:T
  • 外径:42mm
  • 外部长度/高度:15mm
  • 封装类型:T
  • 正向电压, 于If:1.07V
  • 温度 @ 电流测量:75°C
  • 热阻, 结至外壳 A:0.07°C/W
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    DYNEX - DS502ST10 - 密封式二极管 866A 1000V DYNEX - DS502ST10 - 密封式二极管 866A 1000V
  • 二极管类型:标准恢复
  • 电压, Vrrm:1000V
  • 电流, If 平均:866A
  • 电流, Ifs 最大:8000A
  • 封装形式:T
  • 外径:42mm
  • 外部长度/高度:15mm
  • 封装类型:T
  • 正向电压, 于If:1.07V
  • 温度 @ 电流测量:75°C
  • 热阻, 结至外壳 A:0.07°C/W
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKKH 162/16 E - 晶闸管模块 SEMIKRON - SKKH 162/16 E - 晶闸管模块
  • 晶闸管模块
  • 160A
  • 1600V
  • SEMIPACK 2
  • 美国 0
    上海 0
    美国6
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    POWEREX - C158PB - 晶闸管 SCR 1200V TO-94 POWEREX - C158PB - 晶闸管 SCR 1200V TO-94
  • 晶闸管 SCR 1200V TO-94
  • 美国 0
    上海 0
    美国5
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    POWEREX - CM400DY-12NF - 晶体管 IGBT模块 1600W Vceo:600V 400A 600V POWEREX - CM400DY-12NF - 晶体管 IGBT模块 1600W Vceo:600V 400A 600V
  • 晶体管 IGBT模块 1600W Vceo:600V 400A 600V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKKD 46/16 - 晶闸管模块 SEMIKRON - SKKD 46/16 - 晶闸管模块
  • 晶闸管模块
  • 45A
  • 1600V
  • SEMI 1
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKMD 40F04 - 快速恢复功率整流器 SEMIKRON - SKMD 40F04 - 快速恢复功率整流器
  • 快速恢复功率整流器
  • TO-244AA
  • 36A
  • 美国 0
    上海 0
    美国16
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKKD 100/16 - 晶闸管模块 SEMIKRON - SKKD 100/16 - 晶闸管模块
  • 晶闸管模块
  • 100A
  • 1600V
  • SEMI 1
  • 美国 0
    上海 0
    美国33
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
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