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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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ROXBURGH - DVS24 - 电涌抑制器模块 MOV 24V |
浪涌电流:1kA
系列:DVS
抑制器类型:Varistor
瞬态能量 10/1000us 最大:8.8J
额定电压, 直流:38V
额定电压, 交流:30V
工作温度范围:-25°C to +85°C
外宽:78mm
外部深度:12.5mm
外部长度/高度:55mm
封装类型:轨道
工作温度最低:-25°C
工作温度最高:85°C
测试电压:24V
电流, 峰值 8/20us 最大:1000A
端子类型:2.5mm
频率 @ 电容测量:440Hz
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上海 0
新加坡 0
英国19 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM75DU-12F - 晶体管 IGBT模块 450W Vceo:600V 75A 600V |
晶体管 IGBT模块 450W Vceo:600V 75A 600V
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美国 0
上海 0
美国9
新加坡 0 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM400HU-24F - 晶体管 IGBT模块 1600W Vceo:1200V 400A 1200V |
晶体管 IGBT模块 1600W Vceo:1200V 400A 1200V
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无库存 |
1 |
1 |
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ALLEGRO SANKEN - SAP15P - 晶体管达林顿 5 LEAD |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:160V
封???类型:TO-3P5
针脚数:5
功耗:150W
器件标记:SAP15P
基极电流, Ib:1A
封装类型:TO-3P5
总功率, Ptot:150W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:-10A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:160V
电压, Vceo sat:2.0V
电流, Ic hFE:10A
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:5000
结温, Tj 最低:-150°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
重量:0.000005kg
集电极电流, Ic 平均值:15A
饱??电压, Vce sat 最大:-2V
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停产 |
1 |
1 |
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ALLEGRO SANKEN - SAP15N - 晶体管达林顿 5 LEAD |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:160V
封???类型:TO-3P5
针脚数:5
功耗:150W
器件标记:SAP15N
基极电流, Ib:1A
封装类型:TO-3P5
总功率, Ptot:150W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:10A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:160V
电压, Vceo sat:2.0V
电流, Ic hFE:10A
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:5000
结温, Tj 最低:-150°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
重量:0.000005kg
集电极电流, Ic 平均值:15A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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停产 |
1 |
1 |
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ALLEGRO SANKEN - 2SC3519 - 晶体管NPN TO-3P |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:160V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:130W
集电极直流电流:15A
直流电流???益 hFE:50
封装类型:TO-3P
针脚数:3
功耗:130W
器件标记:2SC3519
基极电流, Ib:4A
封装类型:TO-3P
总功率, Ptot:130W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:15A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:160V
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:50
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:15A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0
新加坡5
英国356 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BUZ906 - 场效应管 MOSFET P TO-3 |
晶体管极性:P沟道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:-1.5V
功耗:125W
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:125W
封装类型:TO-3
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:-200V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
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上海 0
新加坡6
英国69 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BUZ905 - 场效应管 MOSFET P TO-3 |
晶体管极性:P沟道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:160V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:-1.5V
功耗:125W
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:125W
器件标记:BUZ905
封装类型:TO-3
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:-160V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
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上海 0
新加坡13
英国4856 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BUZ901 - 场效应管 MOSFET N TO-3 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:1.5V
功耗:125W
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:125W
封装类型:TO-3
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
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上海 0
新加坡3
英国27 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BUZ900 - 场效应管 MOSFET N TO-3 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:160V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:1.5V
功耗:125W
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:125W
器件标记:BUZ900
封装类型:TO-3
封装类型, 替代:TO-204AA
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:160V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
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上海 0
新加坡3
英国818 |
1 |
1 |
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MAGNATEC - BUX81 - 晶体管NPN TO-3 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:450V
截止频率 ft, 典型值:1.5MHz
功耗, Pd:100W
集电极直流电流:10A
直流电流增益 hFE:30
封装类型:TO-3
下降时间典型值:0.8μs
功耗:100W
封装类型:TO-3
总功率, Ptot:100W
晶体管数:1
晶体管类型:高电压开关电源
最大连续电流, Ic:10A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:1000V
电流, Ic hFE:1200mA
电流, Ic 最大:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:30
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:10A
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上海 0
新加坡 0
英国119 |
1 |
1 |
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SEMELAB - 2N6331 - 晶体管PNP TO-3 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:3MHz
集电极直流电流:30A
直流电流增益 hFE:6
封装类型:TO-3
针脚数:2
器件标记:2N6331
封装类型:TO-3
总功率, Ptot:200W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:30A
最小增益带宽 ft:3MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:30A
电流, Ic 最大:30A
直流电流增益 hfe, 最小值:6
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国62 |
1 |
1 |
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SEMELAB - 2N6328 - 晶体管NPN TO-3 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:3MHz
集电极直流电流:30A
直流电流增益 hFE:6
封装类型:TO-3
针脚数:2
器件标记:2N6328
封装类型:TO-3
总功率, Ptot:200W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:30A
最小增益带宽 ft:3MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:30A
电流, Ic 最大:30A
直流电流增益 hfe, 最小值:6
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡30
英国95 |
1 |
1 |
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MAGNATEC - 2N5883 - 晶体管PNP TO-3 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:4MHz
集电极直流电流:25A
直流电流增益 hFE:35
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装类型:TO-3
针脚数:2
封装类型:TO-3
总功率, Ptot:200W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:25A
最小增益带宽 ft:4MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:10A
电流, Ic 最大:25A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国98 |
1 |
1 |
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RENESAS - 2SK2220-E - 场效应管 MOSFET N TO-3P |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:180V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:20V
功耗:100W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-3P
针脚数:3
功率, Pd:100W
封装类型:TO-3P
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:180V
电流, Id 连续:8A
电流, Idm 脉冲:8A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:1 g
2 s
3 d
阈值电压, Vgs th 典型值:1.45V
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上海 0
新加坡 0
英国17 |
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