| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
操作 |
 | IXYS RF - IXFK55N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:55A
封装类型:TO-264
晶体管极性:N Channel
上升时间:20ns
功率, Pd:560W
封装类型:TO-264
开态电阻, Rds(on):0.085ohm
电容值, Ciss 典型值:6700pF
| 停产 | 1 | 1 | | 删除 |
 | CML INNOVATIVE TECHNOLOGIES - SL06WH30M - 灯管 SNAPLIGHT 152MM 白色 |
外部长度/高度:152.4mm
工作寿命:8h
颜色:White
灯泡平均寿命:8h
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
 | TYCO ELECTRONICS - 3650/1008LABKIT - 实验室套件 电感 3650系列 1008封装 |
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
| AVAGO TECHNOLOGIES - HCNW3120-300E - 光耦合器SMD 2.0A 栅极驱动 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:IGBT栅极驱动
输入电流:16mA
输出电压:30V
封装类型:DIP
针脚数:8
上升时间:0.1μs
下降时间:0.1μs
传输延时, 低至高:0.3μs
传输延时, 高至低:0.3μs
光电耦合器类型:IGBT栅极驱动
共模抑制(CMR):15kV/μs
功耗:295mW
外宽:11.15mm
外部深度:9mm
外部长度/高度:4mm
封装类型:SMD-8
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:100°C
工作温度范围:-40°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:CSA, IEC/EN/DIN EN 62747-5-2
批准类型:UL 认可
???距:11mm
最大正向电流, If:12mA
电流, If 平均:8A
电源电压 最大:30V DC
电源电压 最小:15V DC
耐压:3750V AC
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:30V
输出电流:2.0A
输出电流 峰值:2.5A
电压, Vcm:1500V
电源电流 最大:5mA
| 上海5 新加坡 0 英国50 | 1 | 1 | | 删除 |
 | YAGEO (PHYCOMP) - 2255 146 11529 - 电容阵列0612封装 33PF 50V |
电容:33pF
电容???差 ±:± 5%
元件数:4
额定电压:50V DC
封装类型:0612
针脚数:8
工作温度范围:-55°C to +125°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:125°C
电容介质类型:Multilayer Ceramic
外宽:1.6mm
外部深度:3.2mm
外部长度/高度:1mm
封装类型:0612
电介质类型:C0G / NP0
端子类型:Surface Mount (SMD, SMT)
系列:0612
表面安装器件:表面安装
容差, +:5%
容差, -:5%
应用:标准
每??数量:4000
气候类型:55/125/56
温度系数 ±:± 30ppm/°C
温度系数, +:30ppm/°C
温度系数, -:-30ppm/°C
额定电压, 直流:50V
| 停产 | 1 | 1 | | 删除 |
 | RENESAS - 2SJ218-E - 场效应管 MOSFET P TO-3PFM |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-45A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.06ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:60W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-3PFM
功率, Pd:60W
封装类型:TO-3PFM
引脚节距:5.45mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-60V
电流, Id 连续:45A
电流, Idm 脉冲:180A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
隔离电压:4kV
| 上海 0 新加坡 0 英国164 | 1 | 1 | | 删除 |
