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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SEMELAB - BUZ901P - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N 通道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:14V
功耗:125W
封装类型:TO-247
针脚数:3
功率, Pd:125W
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
时间, t off:50ns
时间, t on:100ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压, Vds 典型值:200V
电容值, Ciss 典型值:500pF
电流, Id 连续:8A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:G(1), S(2), D(3)
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
飞轮二极管:Id(peak) = 8 A
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上海 0
新加坡 0
英国136 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BUZ900P - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N 通道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:160V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:14V
功耗:125W
封装类型:TO-247
针脚数:3
功率, Pd:125W
器件标记:BUZ900P
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
时间, t off:50ns
时间, t on:100ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压, Vds 典型值:160V
电容值, Ciss 典型值:500pF
电流, Id 连续:8A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:G(1), S(2), D(3)
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
??轮二极管:Id(peak) = 8 A
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上海 0
新加坡 0
英国278 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI100S-120 - 晶体管 IGBT模块 1200V 100A |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N 通道
集电极直流电流:100A
饱和电???, Vce sat 最大:2.6V
最大功耗:690W
电压, Vceo:1200V
封装类型:M234
外宽:108mm
外部深度:62mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M234
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.4kg
上升时间:600ns
下降时间:300ns
功率, Pd:780W
功耗:780W
最大连续电流, Ic:100A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:75A
电流, Icm 脉冲:300A
隔离电压:2500V
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上海 0
新加坡 0
英国1 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI75S-120 - 晶体管 IGBT模块 1200V 75A |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N 通道
集电极直流电流:100A
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
最大功耗:600W
电压, Vceo:1200V
封装类型:M232
外宽:92mm
外部深度:34mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M232
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.18kg
上升时间:600ns
下降时间:300ns
功率, Pd:600W
功耗:600W
最大连续电流, Ic:100A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:75A
电??, Icm 脉冲:200A
隔离电压:2500V
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上海 0
新加坡 0
英国59 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 1MBI600S-120 - 晶体管 IGBT模块 1200V 600A |
晶体管类型:IGBT Module
集电极直流电流:900A
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
最大功??:4.15kW
电压, Vceo:1200V
封装类型:M138
上升时间:600ns
下降时间:300ns
功率, Pd:4150W
功耗:4150W
外宽:110mm
外部深度:80mm
外部长度/高度:35mm
封装类型:M138
晶体管数:1
晶体管极性:N 通道
最大连续电流, Ic:900A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:600A
电流, Icm 脉冲:1800A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.5kg
隔???电压:2500V
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无库存 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 1MBI400S-120 - 晶体管 IGBT模块 1200V 400A |
晶体管类型:IGBT Module
集电极直流电流:600A
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
最大功??:3.1kW
电压, Vceo:1200V
封装类型:M127
上升时间:600ns
下降时间:300ns
功率, Pd:3100W
功耗:3100W
外宽:108mm
外部深度:62mm
外部长度/高度:35mm
封装类型:M127
晶体管数:1
晶体管极性:N 通道
最大连续电流, Ic:600A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:400A
电流, Icm 脉冲:1200A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.4kg
隔??电压:2500V
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上海 0
新加坡 0
英国45 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 1MBI200S-120 - 晶体管 IGBT模块 1200V 200A |
晶体管类型:IGBT Module
集电极直流电流:300A
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
最大功??:1.3kW
电压, Vceo:1200V
封装类型:M127
上升时间:600ns
下降时间:300ns
功率, Pd:1500W
功耗:1500W
外宽:108mm
外部深度:62mm
外部长度/高度:35mm
封装类型:M127
晶体管数:1
晶体管极性:N 通道
最大连续电流, Ic:300A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:200A
电流, Icm 脉冲:600A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.4kg
隔离电压:2500V
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上海 0
新加坡 0
英国48 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI400N-060 - 晶体管 IGBT模块 600V 400A |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N 通道
集电极直流电流:400A
饱和电压, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:1.5kW
电压, Vceo:600V
封装类型:M235
外宽:108mm
外部深度:62mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M235
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.18kg
上升时间:600ns
下降时间:350ns
功率, Pd:1500W
功耗:1500W
最大连续电流, Ic:400A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:400A
电流, Icm 脉冲:800A
隔离电压:2500V
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上海 0
新加坡 0
英国11 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI200N-060 - 晶体管 IGBT模块 600V 200A |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N 通道
集电极直流电流:200A
饱和电压, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:780W
电压, Vceo:600V
封装类型:M233
外宽:92mm
外部深度:45mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M233
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.18kg
上升时间:600ns
下降时间:350ns
功率, Pd:780W
功耗:780W
最大连续电流, Ic:200A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:200A
电流, Icm 脉冲:400A
隔离电压:2500V
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上海 0
新加坡 0
英国3 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI150N-060 - 晶体管 IGBT模块 600V 150A |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N 通道
集电极直流电流:150A
饱和电压, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:600W
电压, Vceo:600V
封装类型:M233
外宽:92mm
外部深度:45mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M233
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.18kg
上升时间:600ns
下降时间:350ns
功率, Pd:600W
功耗:600W
最大连续电流, Ic:150A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:150A
电流, Icm 脉冲:300A
隔离电压:2500V
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上海 0
新加坡 0
英国3 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI100N-060 - 晶体管 IGBT模块 600V 100A |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N 通道
集电极直流电流:100A
饱和电压, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:400W
电压, Vceo:600V
封装类型:M232
外宽:92mm
外部深度:34mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M232
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.18kg
上升时间:600ns
下降时间:350ns
功率, Pd:400W
功耗:400W
最大连续电流, Ic:100A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:100A
电流, Icm 脉冲:200A
隔离电压:2500V
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无库存 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI50N-060 - 晶体管 IGBT模块 600V 50A |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N 通道
集电极直流电流:50A
饱和电压, Vce sat ???大:2.8V
最大功耗:250W
电压, Vceo:600V
封装类型:M232
外宽:92mm
外部深度:34mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M232
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.18kg
上升时间:600ns
下降时间:350ns
功率, Pd:250W
功耗:250W
最大连续电流, Ic:50A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:50A
电流, Icm 脉冲:100A
隔离电压:2500V
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上海 0
新加坡 0
英国2 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2SK3681-01 - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:43A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.16ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:600W
封装类型:TO-247
针脚数:3
功率, Pd:600W
单脉冲雪崩能量 Eas:808.9mJ
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
引脚节距:5.45mm
总功率, Ptot:600W
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:43A
电流, Idm 脉冲:172A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
重复雪崩电流, Iar:21.5A
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
阈值电压, Vgs th 最低:3V
阈值电压, Vgs th 最高:5V
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上海 0
新加坡 0
英国57 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2SK3680-01 - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:52A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.11ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:600W
封装类型:TO-247
针脚数:3
功率, Pd:600W
单脉冲雪崩能量 Eas:802.7mJ
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
引脚节距:5.45mm
总功率, Ptot:600W
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:52A
电流, Idm 脉冲:208A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
重复雪崩电流, Iar:26A
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
阈值电压, Vgs th 最低:3V
阈值电压, Vgs th 最高:5V
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上海 0
新加坡 0
英国60 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2SK3682-01 - 场效应管 MOSFET N TO-220AB |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:19A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.38ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:270W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:270W
单脉冲雪崩能量 Eas:245.3mJ
封装类型:TO-220AB
引脚节距:5.45mm
总功率, Ptot:270W
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:19A
电流, Idm 脉冲:76A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
阈值电压, Vgs th 最低:3V
阈值电压, Vgs th 最高:5V
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上海 0
新加坡3
英国267 |
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