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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FUJI ELECTRIC - 2SK3772-01 - 场效应管 MOSFET N TO-220AB |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:32A
电压, Vds 最大:300V
开态电阻, Rds(on):0.13ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:270W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:270W
单脉冲雪崩能量 Eas:597.4mJ
封装类型:TO-220AB
引脚节距:5.45mm
总功率, Ptot:270W
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:300V
电流, Id 连续:32A
电流, Idm 脉冲:128A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
重复雪崩电流, Iar:32A
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
阈值电压, Vgs th 最低:3V
阈值电压, Vgs th 最高:5V
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上海 0
新加坡 0
英国214 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2SK3590-01 - 场效应管 MOSFET N TO-220AB |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:57A
电压, Vds 最大:150V
开态电阻, Rds(on):0.041ohm
??压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:270W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:270W
单脉冲雪崩能量 Eas:272.5mJ
封装类型:TO-220AB
引脚节距:5.45mm
总功率, Ptot:270W
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:150V
电流, Id 连续:57A
电流, Idm 脉冲:228A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
阈值电压, Vgs th 最低:3V
阈值电压, Vgs th 最高:5V
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上海 0
新加坡 0
英国69 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2SK3586-01 - 场效应管 MOSFET N TO-220AB |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:50A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.025ohm
??压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:270W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:270W
单脉冲雪崩能量 Eas:319.2mJ
封装类型:TO-220AB
引脚节距:5.45mm
总功率, Ptot:270W
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:73A
电流, Idm 脉冲:292A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
阈值电压, Vgs th 最低:3V
阈值电压, Vgs th 最高:5V
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上海 0
新加坡 0
英国12 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BUZ906D - 场效应管 MOSFET P TO-3 |
晶体管极性:P沟道
漏极电流, Id 最大值:-16A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):0.75ohm
电压, Vgs 最高:-14V
功耗:250W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:250W
封装类型:TO-3
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:-200V
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
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上海 0
新加坡 0
英国34 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BUZ905D - 场效应管 MOSFET P TO-3 |
晶体管极性:P沟道
漏极电流, Id 最大值:-16A
电压, Vds 最大:160V
开态电阻, Rds(on):0.75ohm
电压, Vgs 最高:-14V
功耗:250W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:250W
器件标记:BUZ905D
封装类型:TO-3
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:-160V
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
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上海 0
新加坡 0
英国3 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BUZ901D - 场效应管 MOSFET N TO-3 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:16A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):0.75ohm
电压, Vgs 最高:1.5V
功耗:250W
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:250W
封装类型:TO-3
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
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上海 0
新加坡 0
英国27 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BUZ900D - 场效应管 MOSFET N TO-3 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:16A
电压, Vds 最大:160V
开态电阻, Rds(on):0.75ohm
电压, Vgs 最高:14V
功耗:250W
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:250W
器件标记:BUZ900D
封装类型:TO-3
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:160V
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
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上海 0
新加坡 0
英国38 |
1 |
1 |
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ALLEGRO SANKEN - 2SB1560 - 达林顿晶体管 TO-3P |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:150V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:100W
集电极直流电流:10A
直流电流增益 hFE:5000
封装类型:TO-3P
针脚数:3
功耗:100W
器件标记:2SB1560
封装类型:TO-3P
总功率, Ptot:100W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:10A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:160V
电流, Ic hFE:7A
电流, Ic 最大:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:5000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:10A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国232 |
1 |
1 |
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ALLEGRO SANKEN - 2SD2390 - 达林顿晶体管 TO-3P |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:150V
截止频率 ft, 典型值:55MHz
功耗, Pd:100W
集电极直流电流:10A
直流电流增益 hFE:5000
封装类型:TO-3P
针脚数:3
功耗:100W
器件标记:2SD2390
封装类型:TO-3P
总功率, Ptot:100W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:10A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:160V
电流, Ic hFE:7A
电流, Ic 最大:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:5000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:10A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国817 |
1 |
1 |
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SEMELAB - OA95/05 - 二极管GERMANIUM DO-7 |
二极管类型:小信号
电流, If 平均:50mA
电压, Vrrm:115V
正向电压 Vf 最大:1.85V
电流, Ifs 最大:500mA
封装形式:DO-7
针脚数:2
器件标记:OA95/05
外径:2.7mm
外部长度/高度:7.6mm
封装类型:DO-7
电流, If @ Vf:30mA
电流, Ifsm:0.5A
结温, Tj 最高:70°C
表面安装器件:轴向引线
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上海5
新加坡151
英国 0 |
1 |
5 |
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SEMELAB - OA91/05 - 二极管GERMANIUM DO-7 |
二极管类型:小信号
电流, If 平均:50mA
电压, Vrrm:115V
正向电压 Vf 最大:2.1V
电流, Ifs 最大:500mA
封装形式:DO-15
针脚数:2
器件标记:OA91/05
外径:2.7mm
外部长度/高度:7.6mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
电流, If @ Vf:30mA
电流, Ifsm:500mA
结温, Tj 最高:75°C
表面安装器件:轴向引线
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上海 0
新加坡30
英国175 |
1 |
5 |
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SEMELAB - OA47 - 二极管GERMANIUM DO-7 |
二极管类型:小信号
电流, If 平均:110mA
电压, Vrrm:30V
正向电压 Vf 最大:0.45V
时间, trr 最大:70ns
封装形式:DO-7
针脚数:2
外径:2.7mm
外部长度/高度:7.6mm
封装类型:DO-7
总功率, Ptot:80mW
电流, If @ Vf:10mA
表面安装器件:轴向引线
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上海 0
新加坡 0
英国5103 |
1 |
5 |
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MAGNATEC - 2N6254 - 晶体管NPN TO-3 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
功耗, Pd:150W
集电极直流电流:15A
直流电流增益 hFE:20
封装类型:TO-3
针脚数:2
功耗:150W
封装类型:TO-3
总功率, Ptot:150W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:15A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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MAGNATEC - 2N3055H - 晶体管 NPN TO-3 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:0.8MHz
功耗, Pd:115W
集电极直流电流:15A
直流电流增益 hFE:20
工??温度范围:-65°C to +200°C
封装类型:TO-3
针脚数:2
功耗:115W
器件标记:2N3055H
封装类型:TO-3
总功率, Ptot:115W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:15A
最小增益带宽 ft:0.8MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:4A
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.1V
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上海 0
新加坡 0
英国197 |
1 |
1 |
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MAGNATEC - 2N6109 - 晶体管 PNP TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:10MHz
功耗, Pd:0.8W
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:30
工作???度范围:-65°C to +150°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功耗:0.8W
封装类型:TO-220AB
总功率, Ptot:40W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:2A
最小增益带宽 ft:10MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:2.5A
电流, Ic 最大:7A
直流电流增益 hfe, 最小值:30
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:250mV
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上海 0
新加坡 0
英国526 |
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