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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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TOSHIBA - 2SK1120(F) - 场效应管 MOSFET N TO-3P |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:1000V
开态电阻, Rds(on):1.8ohm
电压 @ Rds测量:10V
??压, Vgs 最高:20V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
针脚数:3
功率, Pd:150W
封装类型:TO-3P
引脚节距:5.45mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电流, Id 连续:8A
电流, Idm 脉冲:24A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V
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上海 0
新加坡100
英国31 |
1 |
1 |
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MAGNATEC - 2SA1943-0 - 晶体管PNP 2-21F1A |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:230V
截止频率 ft, 典型值:30MHz
功耗, Pd:150W
集电极直流电流:-15A
直流电流增益 hFE:60
封装类型:TO-264
针脚数:3
功耗:150W
器件标记:2SA1943
基极电流, Ib:1.5A
封装类型:TO-264
总功率, Ptot:150W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:15A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:230V
电流, Ic hFE:1A
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:55
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:15A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
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上海88
新加坡7
英国1007 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SC5200-0 - 晶体管NPN 2-21F1A |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:230V
截止频率 ft, 典型值:30MHz
功耗, Pd:150W
集电极直流电流:15A
???流电流增益 hFE:60
封装类型:TO-264
针脚数:3
功耗:150W
器件标记:2SC5200
基极电流, Ib:1.5A
封装类型:TO-264
总功率, Ptot:150W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:15A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:230V
电流, Ic hFE:1A
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:55
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:15A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
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上海119
新加坡56
英国871 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SC1815-Y - 晶体管 NPN TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:80MHz
功耗, Pd:400mW
集电极直流电流:0.15A
直流电流增益 hFE:120
???装类型:TO-92
针脚数:3
功耗:400mW
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:400mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:0.15A
最小增益带宽 ft:80MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:0.15A
直流电流增益 hfe, 最小值:70
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:a
饱和电压, Vce sat 最大:0.25V
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上海440
新加坡1400
英国12907 |
1 |
5 |
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SEMIKRON - SKKH 92/16E - 晶闸管二极管模块 |
晶闸管二极管模块
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美国 0
上海 0
美国187
新加坡 0 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKET 400/16E - 晶闸管二极管模块 |
晶闸管二极管模块
SEMI 4
400A
1200V
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美国 0
上海 0
美国3
新加坡 0 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BUZ906DP - 场效应管 MOSFET P TO-264 |
晶体管极性:P 通道
漏极电流, Id 最大值:-16A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):0.75ohm
电压, Vgs 最高:-14V
功耗:250W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-264
针脚数:3
功率, Pd:250W
封装类型:TO-264
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:-200V
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMELAB - 2N6845 - 场效应管 MOSFET P TO-39 |
晶体管极性:P 通道
漏极电流, Id 最大值:-4A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.6ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:20W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-39
针脚数:3
功率, Pd:20W
封装类型:TO-39
引脚节距:5.08mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-100V
电流, Id 连续:4A
电流, Idm 脉冲:16A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-4V
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上海 0
新加坡 0
英国48 |
1 |
1 |
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SEMELAB - 2N6796 - 场效应管 MOSFET N TO-39 |
晶体管极性:N 通道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.18ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:25W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-39
针脚数:3
功率, Pd:25W
封装类型:TO-39
引脚节距:5.08mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:8A
电流, Idm 脉冲:25A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海17
新加坡 0
英国125 |
1 |
1 |
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SEMELAB - 2N6782 - 场效应管 MOSFET N TO-39 |
晶体管极性:N 通道
漏极电流, Id 最大值:3.5A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.6ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:15W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-39
针脚数:3
功率, Pd:15W
封装类型:TO-39
引脚节距:5.08mm
总功率, Ptot:15W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:3.5A
电流, Idm 脉冲:8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国116 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BFD63 - 场效应管 MOSFET N TO-3 |
晶体管极性:N 通道
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:1000V
开态电阻, Rds(on):0.125ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:198W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:198W
安装孔中心距:30mm
封装类型:TO-3
封装类型, 替代:TO-204AA
引脚节距:11mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电流, Id 连续:6A
电流, Idm 脉冲:24A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BFD82 - 场效应管 MOSFET N TO-3 |
晶体管极性:N 通道
漏极电流, Id 最大值:14.5A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:198W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:198W
安装孔中心距:30mm
封装类型:TO-3
封装类型, 替代:TO-204AA
引脚节距:11mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:14.5A
电流, Idm 脉冲:58A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国24 |
1 |
1 |
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SEMELAB - IRF044 - 场效应管 MOSFET N TO-3 |
晶体管极性:N 通道
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.028ohm
功耗:150W
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:150W
安装孔中心距:30mm
封装类型:TO-3
封装类型, 替代:TO-204AA
引脚节距:11mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:30A
电流, Idm 脉冲:210A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BUZ906P - 场效应管 MOSFET P TO-247 |
晶体管极性:P 通道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:14V
功耗:125W
封装类型:TO-247
针脚数:3
功率, Pd:125W
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
时间, t off:60ns
时间, t on:120ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压, Vds 典型值:-200V
电容值, Ciss 典型值:734pF
电流, Id 连续:8A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:G(1), S(2), D(3)
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
飞轮二极管:Id(peak) = 8 A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BUZ905P - 场效应管 MOSFET P TO-247 |
晶体管极性:P 通道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:160V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:14V
功耗:125W
封装类型:TO-247
针脚数:3
功率, Pd:125W
器件标记:BUZ905P
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
时间, t off:60ns
时间, t on:120ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压, Vds 典型值:-160V
电容值, Ciss 典型值:734pF
电流, Id 连续:8A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:G(1), S(2), D(3)
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
飞轮二极管:Id(peak) = 8 A
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上海 0
新加坡 0
英国138 |
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