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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FENGHUA - FNR-14K220 - 压敏电阻 5J 14VAC |
瞬态能量 10/1000us 最大:5J
额定电压, 直流:18V
额定电压, 交???:14V
主体直径:17mm
变阻器电压, 于1mA:22V
外部深度:5.4mm
封装类型:放射状
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
引线直径:0.8mm
引线长度:30mm
引脚节距:7.5mm
电容:15000μF
电流, 峰值 8/20us 最大:1000A
钳位电压, 8/20us 最大:43V
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上海970
新加坡 0
英国 0 |
1 |
5 |
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FENGHUA - FNR-07K220 - 压敏电阻 1.1J 14VAC |
瞬态能量 10/1000us 最大:1.1J
额定电压, 直流:18V
额定电压, 交流:14V
主体直径:9mm
变阻器电压, 于1mA:22V
外??深度:6mm
封装类型:放射状
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
引线直径:0.6mm
引线长度:30mm
引脚节距:5mm
电容:2800μF
电流, 峰值 8/20us 最大:250A
钳位电压, 8/20us 最大:43V
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上海980
新加坡 0
英国 0 |
1 |
5 |
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FENGHUA - FNR-14K180 - 压敏电阻 4J 11VAC |
瞬态能量 10/1000us 最大:4J
额定电压, 直流:14V
额定电压, 交流:11V
主体直径:17mm
变阻器电压, 于1mA:18V
外部深度:5.4mm
封装类型:放射状
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:+85°C
引线直径:0.8mm
引线长度:30mm
引脚节距:7.5mm
电容:18000μF
电流, 峰值 8/20us 最大:1000A
钳位电压, 8/20us 最大:36V
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无库存 |
1 |
5 |
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FENGHUA - FNR-07K180 - 压敏电阻 0.9J 11VAC |
瞬态能量 10/1000us 最大:0.9J
额定电压, 直流:14V
额定电压, 交流:11V
主体直径:9mm
变阻器电压, 于1mA:18V
外??深度:6mm
封装类型:放射状
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:+85°C
引线直径:0.6mm
引线长度:30mm
引脚节距:5mm
电容:3500pF
电流, 峰值 8/20us 最大:250A
钳位电压, 8/20us 最大:36V
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无库存 |
1 |
5 |
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SEMIKRON - SKB 25/16 - 桥式整流器 |
桥式整流器
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美国 0
上海 0
美国144
新加坡 0 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXTP23015CFHTA - 晶体管 PNP SOT-23封装 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:15V
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:317
hFE, 最大:380
hFE, 最小:200
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:1.25W
晶体管类型:Bipolar
电压, Vcbo:15V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:6A
直流电流增益 hfe, 最大值:380
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
电流, Ic hFE -不要使用 见 ID 1182:10mA
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无库存 |
1 |
5 |
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POWEREX - CM200DU-24H - 晶体管 IGBT 1.13kW Vceo:1.2kV |
晶体管 IGBT 1.13kW Vceo:1.2kV
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美国 0
上海 0
美国7
新加坡 0 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKB 30/12 A1 - 桥式整流器模块 |
桥式整流器模块
2.2V
150A
1200V (Vrrm)
G 12
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美国3
上海 0
美国131
新加坡 0 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK2698(F) - 场效应管 MOSFET N TO-3P |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:15A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
针脚数:3
功率, Pd:150W
封装类型:TO-3P
引脚节距:5.45mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:15A
电流, Idm 脉冲:60A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡121
英国249 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK2611(F) - 场效应管 MOSFET N TO-3P |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:9A
电压, Vds 最大:900V
开态电阻, Rds(on):1.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
针脚数:3
功率, Pd:150W
封装类型:TO-3P
引脚节距:5.45mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:900V
电流, Id 连续:9A
电流, Idm 脉冲:27A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡28
英国291 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK2610(F) - 场效应管 MOSFET N TO-3P |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:900V
开态电阻, Rds(on):2.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
针脚数:3
功率, Pd:150W
封装类型:TO-3P
引脚节距:5.45mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:900V
电流, Id 连续:5A
电流, Idm 脉冲:15A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国251 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK2607(F) - 场效应管 MOSFET N TO-3P |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:9A
电压, Vds 最大:800V
开态电阻, Rds(on):1.2ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
针脚数:3
功率, Pd:150W
封装类型:TO-3P
引脚节距:5.45mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:800V
电流, Id 连续:9A
电流, Idm 脉冲:27A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国145 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK2232(F) - 场效应管 MOSFET N TO-220 隔离 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:25A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.08ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:35W
封装类型:TO-220FP
针脚数:3
功率, Pd:35W
封装类型:TO-220FP
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:25A
电流, Idm 脉冲:100A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2V
阈值电压, Vgs th 最高:2V
隔离电压:2kV
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上海 0
新加坡20
英国 0 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SJ380(F) - 场效应管 MOSFET P TO-220IS |
晶体管极性:P沟道
漏极电流, Id 最大值:-12A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.32ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:35W
封装类型:TO-220IS
针脚数:3
功率, Pd:35W
封装类型:TO-220IS
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-100V
电流, Id 连续:12A
电流, Idm 脉冲:48A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
阈值电压, Vgs th 最高:2V
隔离电压:2kV
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上海 0
新加坡5
英国405 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK1119(F) - 场效应管 MOSFET N TO-220 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:4A
电压, Vds 最大:1000V
开态电阻, Rds(on):3.8ohm
电压 @ Rds测量:10V
???压, Vgs 最高:20V
功耗:100W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:100W
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电流, Id 连续:4A
电流, Idm 脉冲:12A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V
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上海 0
新加坡140
英国1033 |
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