NTE ELECTRONICS - NTE2395 - 场效应管 MOSFET N
制造商：NTE ELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：NTE2395
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国27
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 51.10
价格：
库存编号：
制造商编号：NTE2395
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国27
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 51.10
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 51.10 |
| 25 - 49 | CNY 47.00 |
| 50 - 99 | CNY 41.10 |
| 100+ | CNY 38.50 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:50A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.028ohm
- 电压 @ Rds???量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:150W
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:50A
- 表面安装器件:通孔安装
产品属性：
重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:50A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.028ohm
- 电压 @ Rds???量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:150W
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:50A
- 表面安装器件:通孔安装