IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - 场效应管 MOSFET N型 TO-247
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXFH170N10P
库存状态：上海 0 , 新加??30, 英国40
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 86.20
价格：
库存编号：
制造商编号：IXFH170N10P
库存状态：上海 0 , 新加??30, 英国40
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 86.20
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 86.20 |
| 10 - 49 | CNY 69.20 |
| 50 - 249 | CNY 53.30 |
| 250+ | CNY 49.00 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:170A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.009ohm
- 电压 @ Rds测量:15V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:714W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:TO-247
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:198nC
- 功率, Pd:714W
- 封装类型:TO-247
- 晶体管类型:MOSFET
- 热阻, 结至外壳 A:0.21°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电容值, Ciss 典型值:6000pF
- 电流, Id 连续:170A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 时间, trr 最大:150ns
产品属性：
重量（公斤）：0.006
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:170A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.009ohm
- 电压 @ Rds测量:15V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:714W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:TO-247
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:198nC
- 功率, Pd:714W
- 封装类型:TO-247
- 晶体管类型:MOSFET
- 热阻, 结至外壳 A:0.21°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电容值, Ciss 典型值:6000pF
- 电流, Id 连续:170A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 时间, trr 最大:150ns