IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA10N80P - 场效应管 MOSFET N TO-263

IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA10N80P - 场效应管 MOSFET N TO-263
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXFA10N80P
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国56
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 21.80
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 21.80
25  - 99 CNY 17.50
100+  CNY 14.40

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描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:10A
  • 电压, Vds 最大:800V
  • 开态电阻, Rds(on):1.1ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:300W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:D2-PAK
  • 针脚数:3
  • N沟道栅极电荷 Qg:40nC
  • 功率, Pd:300W
  • 封装类型:D2-PAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 热阻, 结至外壳 A:0.42°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:800V
  • 电容值, Ciss 典型值:2300pF
  • 电流, Id 连续:10A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
  • 时间, trr 最大:250ns
产品属性：

重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:10A
  • 电压, Vds 最大:800V
  • 开态电阻, Rds(on):1.1ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:300W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:D2-PAK
  • 针脚数:3
  • N沟道栅极电荷 Qg:40nC
  • 功率, Pd:300W
  • 封装类型:D2-PAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 热阻, 结至外壳 A:0.42°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:800V
  • 电容值, Ciss 典型值:2300pF
  • 电流, Id 连续:10A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
  • 时间, trr 最大:250ns