IXYS RF - DE475-102N21A - 场效应管 MOSFET N RF DE475
制造商：IXYS RF
库存编号：
制造商编号：DE475-102N21A
库存状态：上海 5, 新加坡 0 , 英国145
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 496.60
价格：
库存编号：
制造商编号：DE475-102N21A
库存状态：上海 5, 新加坡 0 , 英国145
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 496.60
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 496.60 |
| 10+ | CNY 487.00 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:24A
- 电压, Vds 最大:1000V
- 开态电阻, Rds(on):0.41ohm
- 功耗:1.8kW
- 封装类型:DE-475
- 针脚数:6
- 上升时间:5ns
- 功率, Pd:1800W
- 封装类型:DE-475
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电容值, Ciss 典型值:5500pF
- 电流, Id 连续:24A
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.003
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:24A
- 电压, Vds 最大:1000V
- 开态电阻, Rds(on):0.41ohm
- 功耗:1.8kW
- 封装类型:DE-475
- 针脚数:6
- 上升时间:5ns
- 功率, Pd:1800W
- 封装类型:DE-475
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电容值, Ciss 典型值:5500pF
- 电流, Id 连续:24A
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V