ZETEX - ZXMN6A09K - 场效应管 MOSFET N D-PAK

描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.045ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:ZXMN 6A09K
- 上升时间:4.6ns
- 下降时间:14.5ns
- 功率, Pd 50mm2 PCB:4.3W
- 外宽:6.8mm
- 外部深度:10.5mm
- 外部长度/高度:2.55mm
- 封装类型:DPAK
- 封装类型, 替代:TO-252
- 应用代码:GPSW
- 时间, trr 典型值:25.6ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:7.3A
- 电流, Idm 脉冲:40A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.045ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
产品属性:
重量(公斤):0.306
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.045ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:ZXMN 6A09K
- 上升时间:4.6ns
- 下降时间:14.5ns
- 功率, Pd 50mm2 PCB:4.3W
- 外宽:6.8mm
- 外部深度:10.5mm
- 外部长度/高度:2.55mm
- 封装类型:DPAK
- 封装类型, 替代:TO-252
- 应用代码:GPSW
- 时间, trr 典型值:25.6ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:7.3A
- 电流, Idm 脉冲:40A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.045ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V