INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7379PBF - 双MOSFET NP LOGIC SO-8
制造商：INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号：
制造商编号：IRF7379PBF
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国211
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 18.02
价格：
库存编号：
制造商编号：IRF7379PBF
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国211
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 18.02
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 18.02 |
| 25 - 99 | CNY 11.28 |
| 100+ | CNY 8.42 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道/P沟道互补
- 漏极电流, Id 最大值:5.8A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.09ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SMD标号:IRF7379PBF
- 功率, Pd:2.5W
- 外宽:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部长度/高度:1.75mm
- 封装类型:SOIC
- 排距:6.3mm
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:4.3A
- 脉冲电流, Idm N沟道(1):46A
- 脉冲电流, Idm P沟道:34A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚格式:1 S1
- 2 G1
- 3 S2
- 4 G2
- 5 D
- 6 D
- 7 D
- 8 D
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
产品属性：
重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道/P沟道互补
- 漏极电流, Id 最大值:5.8A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.09ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SMD标号:IRF7379PBF
- 功率, Pd:2.5W
- 外宽:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部长度/高度:1.75mm
- 封装类型:SOIC
- 排距:6.3mm
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:4.3A
- 脉冲电流, Idm N沟道(1):46A
- 脉冲电流, Idm P沟道:34A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚格式:1 S1
- 2 G1
- 3 S2
- 4 G2
- 5 D
- 6 D
- 7 D
- 8 D
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V