ON SEMICONDUCTOR - MBT35200MT1G - 双极性晶体管
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：MBT35200MT1G
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国421
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 3.91
价格：
库存编号：
制造商编号：MBT35200MT1G
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国421
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 3.91
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 3.91 |
描述信息：
- 晶体管极性:PNP
- 电压, Vceo:35V
- 截止频率 ft, 典型值:100MHz
- 功耗, Pd:0.625mW
- 集电极直流电??:2A
- 直流电流增益 hFE:200
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:6-TSOP
- 针脚数:6
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:6-TSOP
- 直流电流增益 hfe, 最小值:400
- 饱和电压, Vce sat 最大:0.2V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:PNP
- 电压, Vceo:35V
- 截止频率 ft, 典型值:100MHz
- 功耗, Pd:0.625mW
- 集电极直流电??:2A
- 直流电流增益 hFE:200
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:6-TSOP
- 针脚数:6
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:6-TSOP
- 直流电流增益 hfe, 最小值:400
- 饱和电压, Vce sat 最大:0.2V