IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100 - 场效应管 MOSFET N TO-247

IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100 - 场效应管 MOSFET N TO-247
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXFH12N100
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国54
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 125.70
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 125.70
10  - 49 CNY 96.90
50+  CNY 85.92

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描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:12A
  • 电压, Vds 最大:1000V
  • 开态电阻, Rds(on):1.05ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:300W
  • 工作温度范围:9453130
  • 封装类型:TO-247
  • 针脚数:3
  • 功率, Pd:300W
  • 封装类型:TO-247
  • 封装类型, 替代:SOT-249
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:1000V
  • 电流, Id 连续:12A
  • 电流, Idm 脉冲:48A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on 最大:1.05ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
产品属性：

重量（公斤）：0.006
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:12A
  • 电压, Vds 最大:1000V
  • 开态电阻, Rds(on):1.05ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:300W
  • 工作温度范围:9453130
  • 封装类型:TO-247
  • 针脚数:3
  • 功率, Pd:300W
  • 封装类型:TO-247
  • 封装类型, 替代:SOT-249
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:1000V
  • 电流, Id 连续:12A
  • 电流, Idm 脉冲:48A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on 最大:1.05ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V