IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50Q - 场效应管 MOSFET N TO-247
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXFH26N50Q
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国193
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 74.70
价格：
库存编号：
制造商编号：IXFH26N50Q
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包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 74.70
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 74.70 |
| 10 - 49 | CNY 57.60 |
| 50+ | CNY 51.01 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:26A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.2ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:300W
- 封装类型:TO-247
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:95nC
- 功率, Pd:300W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J
- 封装类型:TO-247
- 时间, trr 典型值:250ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 最大重复雪崩能量 Ear:30mJ
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电压变化率 dv/dt:5V/μs
- 电流, Id 连续:26A
- 电流, Idm 脉冲:104A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.2ohm
- 重量:6g
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.006
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:26A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.2ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:300W
- 封装类型:TO-247
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:95nC
- 功率, Pd:300W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J
- 封装类型:TO-247
- 时间, trr 典型值:250ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 最大重复雪崩能量 Ear:30mJ
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电压变化率 dv/dt:5V/μs
- 电流, Id 连续:26A
- 电流, Idm 脉冲:104A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.2ohm
- 重量:6g
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V