TOSHIBA - 2SK3176(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 30A 200V TO3P
制造商：TOSHIBA
库存编号：
制造商编号：2SK3176(F)
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 43.80
价格：
库存编号：
制造商编号：2SK3176(F)
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 43.80
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 43.80 |
| 25 - 99 | CNY 38.90 |
| 100 - 249 | CNY 35.10 |
| 250+ | CNY 32.30 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:30A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):0.052ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:150W
- 封装类型:TO-3P
- 封装类型:TO-3P
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:30A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.01143
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:30A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):0.052ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:150W
- 封装类型:TO-3P
- 封装类型:TO-3P
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:30A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V