TOSHIBA - 2SK2998(TPE6F) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.5A 500V TO92

制造商:TOSHIBA
库存编号:
制造商编号:2SK2998(TPE6F)
库存状态:上海 0 , 新加坡2, 英国1388
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 3.40
价格:
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多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 3.40
价格:
数量 | 单位价格(不含税) |
---|---|
1 - 24 | CNY 3.40 |
25 - 99 | CNY 3.00 |
100 - 249 | CNY 2.70 |
250+ | CNY 2.50 |

描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:500mA
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):18ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:900mW
- 封装类型:TO-92MOD
- 封装类型:TO-92MOD
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:0.5A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
产品属性:
重量(公斤):0.00025
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:500mA
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):18ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:900mW
- 封装类型:TO-92MOD
- 封装类型:TO-92MOD
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:0.5A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V