TOSHIBA - 2SJ668(TE16L1NQ) - 场效应管 MOSFET P沟道 5A 60V DPAK
制造商：TOSHIBA
库存编号：
制造商编号：2SJ668(TE16L1NQ)
库存状态：上海 0 , 新加坡888, 英国1776
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.20
价格：
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制造商编号：2SJ668(TE16L1NQ)
库存状态：上海 0 , 新加坡888, 英国1776
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.20
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 4.20 |
| 25 - 99 | CNY 3.70 |
| 100 - 249 | CNY 3.40 |
| 250+ | CNY 3.10 |
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-5A
- 电压, Vds 最大:-60V
- 开态电阻, Rds(on):0.17ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:20W
- 封装类型:DPAK
- 封装类型:PW-MOLD
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
产品属性：
重量（公斤）：0.00143
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-5A
- 电压, Vds 最大:-60V
- 开态电阻, Rds(on):0.17ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:20W
- 封装类型:DPAK
- 封装类型:PW-MOLD
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2V