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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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ON SEMICONDUCTOR - MPS650G - 晶体管 NPN 40V TO92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:75MHz
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:75
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:625mW
封装类型:TO-92
直流电流增益 hfe, 最小值:40
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上海 0 美国 0 新加坡392 英国 0 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MPS650G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:75MHz
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:75
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.625W
封装类型:TO-92
直流电流增益 hfe, 最小值:40
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJD117G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:25MHz
功耗, Pd:1.75W
集电极直流电流:2A
???流电流增益 hFE:12
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:D-PAK
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.75W
封装类型:D-PAK
直流电流增益 hfe, 最小值:1
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0 美国 0 新加坡 0 英国140 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - 2N6491G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:5MHz
功耗, Pd:1.8W
集电极直流电流:-15A
直流电???增益 hFE:5
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:3-TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:3-TO-220
直流电流增益 hfe, 最小值:150
饱和电压, Vce sat 最大:20V
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上海 0 新加坡40 英国63 |
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1 |
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ON SEMICONDUCTOR - 2N5401G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:150V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:500mA
直??电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.625W
封装类型:TO-92
直流电流增益 hfe, 最小值:240
饱和电压, Vce sat 最大:60V
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上海 0 新加坡 0 英国287 |
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1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJW21196G - 晶体管 双极性 NPN 16A TO247 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:250V
截止频率 ft, 典型值:4MHz
功耗, Pd:200W
集电极直流电流:16A
直流电流增益 hFE:20
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:200W
封装类型:TO-247
总功率, Ptot:200W
晶体管数:1
晶体管类型:Power General Purpose
最大连续电流, Ic:16A
最小增益带宽 ft:4MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:400V
电流, Ic hFE:0.08A
电流, Ic 最大:16A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:3V DC
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上海 0 新加坡15 英国206 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJW21195G - 晶体管 双极性 NPN 16A TO247 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:250V
截止频率 ft, 典型值:4MHz
功耗, Pd:200W
集电极直流电流:16A
直流电流增益 hFE:20
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:200W
封装类型:TO-247
总功率, Ptot:200W
晶体管数:1
晶体管类型:Power General Purpose
最大连续电流, Ic:16A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:400V
电流, Ic hFE:0.08A
电流, Ic 最大:16A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:3V DC
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上海 0 新加坡9 英国405 |
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1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - NZT7053 - 晶体管 达林顿 NPN 1.5A 100V SOT223 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:200MHz
功耗, Pd:1W
集电极直流电流:1.5A
直流电流增益 hFE:20000
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
针脚数:4
功耗:1W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Darlington Bipolar
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
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上海 0 美国 0 新加坡300 英国379 |
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1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBTA14 - 晶体管 NPN 达林顿 0.3A 30V SOT23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:125MHz
???耗, Pd:350mW
集电极直流电流:1.2A
直流电流增益 hFE:20000
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
功耗:350mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Darlington Bipolar
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:10000
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
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上海 0 美国1618 新加坡 0 英国472 |
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1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - D45H8 - 晶体管 PNP -60V -10A TO220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:40MHz
功耗, Pd:60W
集电极直流电流:8A
直流电流增益 hFE:60
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:60W
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power
最大连续电流, Ic:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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上海 0 美国 0 新加坡87 英国31 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBT2369 - 晶体管 NPN 0.2A 15V SOT23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:15V
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:40
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
功耗:350mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Switching
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:250mV
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上海 0 美国12171 新加坡1400 英国1582 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBT6428 - 晶体管 NPN 0.5A 50V SOT23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:700MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
功耗:350mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:250
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:600mV
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上海 0 美国 0 新加坡750 英国1001 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBT5210 - 晶体管 NPN 0.1A 50V SOT23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:30MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
功耗:350mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:10mA
直流电流增益 hfe, 最小值:250
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:700mV
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上海 0 新加坡 0 英国162 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBTA05 - 晶体管 NPN 0.5A 60V SOT23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:100
封装类型:SOT-23
针脚数:3
功耗:350mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:250mV
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上海 0 美国 0 新加坡 0 英国618 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BCX70G - 晶体管 NPN 45V 0.2A SOT23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:125MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:120
封装类型:SOT-23
针脚数:3
功耗:350mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:10mA
直流电流增益 hfe, 最小值:60
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:350mV
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上海 0 美国747 新加坡 0 英国775 |
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