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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
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操作 |
 | IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N15P - 场效应管 MOSFET N型 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:120A
电压, Vds 最大:150V
开态电阻, Rds(on):0.016ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:600W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:150nC
功率, Pd:600W
封装类型:TO-247
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.25°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:150V
电容值, Ciss 典型值:4900pF
电流, Id 连续:120A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:200ns
| 上海 0 新加?? 0 英国100 | 1 | 1 | | 删除 |
 | ROHM - SSTA06T116 - 晶体管 SOT-23 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
功耗:200mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:250mV
| 上海 0 新加坡350 英国2485 | 1 | 1 | | 删除 |
 | ROTH ELEKTRONIK - RE526-LF - 原型开发板 EUROCARD FR4 条纹式 节距2 54MM |
外宽:160mm
板厚:1.5mm
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
PCB孔径:1mm
外部长度/高度:100mm
孔数:2072
孔阵排列:37 x 56
尺寸:100 x 160 mm
排距:2.54mm
敷铜密度:HAL 5 - 6 μm (hole 2 - 3 μm)
材料:Epoxy FR4
类型:Prototype Board
节距:2.54mm
覆层面数:1
路数:15
连接器类型:DIN41612 Type H
铜厚度:35μm
| 上海 0 新加坡 0 英国6 | 1 | 1 | | 删除 |
 | PRO'S KIT - 1PK-701 - 手钳 微切割 4' |
长度:4"
| 上海 0 新加坡5 英国 0 | 1 | 1 | | 删除 |
 | TEXAS INSTRUMENTS - TL5001CD - 芯片 PWM控制器 |
输出电压:50V
频率:500kHz
功耗:725mW
封装形式:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-25°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
工作温度最低:-25°C
工作温度最高:85°C
器件标号:5001
控制器类型:PWM
电源电压 最大:40V
电源电压 最小:3.6V
芯片标号:5001
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:40V
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:20mA
输出类型:Voltage
逻辑功能号:5001
电源芯片类型:PWM控制器
| 上海45 新加坡 0 英国247 | 1 | 1 | | 删除 |
 | ON SEMICONDUCTOR - 2N6491G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:5MHz
功耗, Pd:1.8W
集电极直流电流:-15A
直流电???增益 hFE:5
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:3-TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:3-TO-220
直流电流增益 hfe, 最小值:150
饱和电压, Vce sat 最大:20V
| 上海 0 新加坡40 英国63 | 1 | 1 | | 删除 |
