图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
 |
ROHM - DTC123EUAT106 - 晶体管 数字式 UMT NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:20
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
功耗:200mW
封装类型:SOT-323
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:表面安装
|
上海 0 新加坡 0 英国2990 |
1 |
10 |
 |
 |
ROHM - DTC115TKAT146 - 晶体管 数字式 SC-59 100mA NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:1mA
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
功耗:200mW
封装类型:SOT-346
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:1mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
|
上海 0 新加坡 0 英国2990 |
1 |
10 |
 |
 |
ROHM - DTC115EKAT146 - 晶体管 数字式 SC-59 100mA NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:82
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
功耗:200mW
封装类型:SOT-346
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:82
表面安装器件:表面安装
|
上海 0 新加坡 0 英国2930 |
1 |
10 |
 |
 |
ROHM - DTC115EETL - 晶体管 数字式 EM3 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:82
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-416
功耗:150mW
封装类型:SOT-416
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:82
表面安装器件:表面安装
|
无库存 |
1 |
10 |
 |
 |
ROHM - DTC114YUAT106 - 晶体管 数字式 UMT NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:68
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
功耗:200mW
封装类型:SOT-323
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:68
表面安装器件:表面安装
|
上海 0 新加坡 0 英国2630 |
1 |
10 |
 |
 |
ROHM - DTC114YKAT146 - 晶体管 数字式 SC-59 100mA NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:68
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
功耗:200mW
封装类型:SOT-346
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:68
表面安装器件:表面安装
|
上海 0 新加坡865 英国320 |
1 |
10 |
 |
 |
ROHM - DTC114YETL - 晶体管 数字式 EM3 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:68
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-416
功耗:150mW
封装类型:SOT-416
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:68
表面安装器件:表面安装
|
上海 0 新加坡200 英国2440 |
1 |
10 |
 |
 |
ROHM - DTC114TUAT106 - 晶体管 数字式 UMT NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:10mA
直流电流增??? hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
功耗:200mW
封装类型:SOT-323
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:10mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
|
上海 0 新加坡200 英国2075 |
1 |
10 |
 |
 |
ROHM - DTC114TSATP - 晶体管 数字式 SPT NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:300mW
集电极直流电流:10mA
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-72
功耗:300mW
封装类型:SC-72
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:10mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
|
上海 0 新加坡 0 英国4990 |
1 |
10 |
 |
 |
ROHM - DTC114TMT2L - 晶体管 数字式 VMT3 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:10mA
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:VMT3
功耗:150mW
封装类型:VMT3
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:10mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
|
上海 0 新加坡 0 英国5710 |
1 |
10 |
 |
 |
ROHM - DTC114TKAT146 - 晶体管 数字式 SC-59 100mA NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:10mA
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
功耗:200mW
封装类型:SOT-346
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:10mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
|
上海 0 新加坡 0 英国2950 |
1 |
10 |
 |
 |
ROHM - DTC114TETL - 晶体管 数字式 EM3 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:10mA
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-416
功耗:150mW
封装类型:SOT-416
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:10mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
|
上海 0 新加坡 0 英国2860 |
1 |
10 |
 |
 |
ROHM - DTC114GUAT106 - 晶体管 数字式 UMT NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:10mA
直流电流增??? hFE:30
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
功耗:200mW
封装类型:SOT-323
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:10mA
直流电流增益 hfe, 最小值:30
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
|
上海 0 新加坡 0 英国3000 |
1 |
10 |
 |
 |
ROHM - DTC114GKAT146 - 晶体管 数字式 SC-59 100mA NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:10mA
直流电流增益 hFE:30
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
功耗:200mW
封装类型:SOT-346
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:10mA
直流电流增益 hfe, 最小值:30
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
|
上海 0 新加坡 0 英国2490 |
1 |
10 |
 |
 |
ROHM - DTC114EUAT106 - 晶体管 数字式 UMT NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:30
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
功耗:200mW
封装类型:SOT-323
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:30
表面安装器件:表面安装
|
无库存 |
1 |
10 |
 |
共 105 页 | 第 13 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |