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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50 - 场效应管 MOSFET N TO-247   晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id 最大值:26A 电压, Vds 最大:500V 开态电阻, Rds(on):0.2ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:4V 功耗:300W 封装类型:TO-247 针脚数:3 功率, Pd:300W 封装类型:TO-247 封装类型, 替代:SOT-249 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:500V 电流, Id 连续:26A 电流, Idm 脉冲:104A 表面安装器件:通孔安装 通态电阻, Rds on 最大:0.2ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:4V 阈值电压, Vgs th 最高:4V 上海 0 新加坡21 英国59 1 1 删除
MOLEX - 855060001 - 插口 CAT5   上海 0 新加坡25 英国 0 1 1 删除
ROHM - DTC114GKAT146 - 晶体管 数字式 SC-59 100mA NPN   晶体管极性:NPN 电压, Vceo:50V 截止频率 ft, 典型值:250MHz 功耗, Pd:200mW 集电极直流电流:10mA 直流电流增益 hFE:30 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-346 功耗:200mW 封装类型:SOT-346 晶体管类型:General Purpose 最大连续电流, Ic:10mA 直流电流增益 hfe, 最小值:30 表面安装器件:表面安装 饱和电压, Vce sat 最大:300mV 上海 0 新加坡 0 英国2490 1 10 删除