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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
操作 |
 | IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N80P - 场效应管 MOSFET N型 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:24A
电压, Vds 最大:800V
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:650W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:100nC
功率, Pd:650W
封装类型:TO-247
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.19°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:800V
电容值, Ciss 典型值:5800pF
电流, Id 连续:24A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:250ns
| 上海 0 新加坡 0 英国19 | 1 | 1 | | 删除 |
| IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH16N80P - 场效应管 MOSFET N型 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:16A
电压, Vds 最大:800V
开态电阻, Rds(on):0.6ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:460W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:70nC
功率, Pd:460W
封装类型:TO-247
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.27°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:800V
电容值, Ciss 典型值:4000pF
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:250ns
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
 | MULTIMEC - 2S09-07 - 开关配件 延长器 7MM |
用于:3F Series Round Pushbutton Switches
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
颜色:黑色
高度, 最大:7mm
| 上海 0 新???坡 0 英国59 | 1 | 10 | | 删除 |
 | WIMA - 10606560419620T - 电容 6560 1UF 250V |
电容介质类型:聚酯
电容:1μF
电容容差 ±:± 20%
额定电压:250V DC
系列:6560
封装类型:6560
针脚数:2
工作温度范围:-55°C to +100°C
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:100°C
外宽:16.5mm
外部深度:15mm
外部长度/高度:7mm
容差, +:20%
容差, -:20%
封装类型:6560
每卷数量:450
气候类型:55/100/56
端子类型:Surface Mount (SMD, SMT)
表面安装器件:表面安装
额定电压, 交流:160V
额定电压, 直流:250V
| 停产 | 1 | 5 | | 删除 |
 | C & K - 775A04000 - 调节器，橙色 |
工作温度最低:-20°C
工作温度最高:65°C
颜色:橙色
额定触点电流:5A
高度, 最大:12.7mm
| 上海 0 新加坡 0 英国338 | 1 | 5 | | 删除 |
| IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - 场效应管 MOSFET N型 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:120A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):0.022ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:714W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:152nC
功率, Pd:714W
封装类型:TO-247
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.21°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电容值, Ciss 典型值:6000pF
电流, Id 连续:120A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:200ns
| 上海 0 新加?? 0 英国30 | 1 | 1 | | 删除 |
