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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N15P - 场效应管 MOSFET N型 TO-247   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:120A 电压, Vds 最大:150V 开态电阻, Rds(on):0.016ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:600W 工作温度范围:-55°C to +175°C 封装类型:TO-247 针脚数:3 N沟道栅极电荷 Qg:150nC 功率, Pd:600W 封装类型:TO-247 晶体管类型:MOSFET 热阻, 结至外壳 A:0.25°C/W 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:150V 电容值, Ciss 典型值:4900pF 电流, Id 连续:120A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:5V 时间, trr 最大:200ns 上海 0 新加?? 0 英国100 1 1 删除