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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
操作 |
 | VISHAY DRALORIC - CRCW06031K80JNEAIF - 电阻 0603 5% 1K80 |
电阻:1.8kohm
电阻容差 ±:± 5%
额定功率:100mW
额定电压:75V
系列:CRCW IF
温度系数 ±:± 200ppm/K
电阻成分类型:Thick Film
封装类型:0603
针脚数:2
外部长度/高度:0.45mm
封装类型:0603
外宽:1.55mm
外部深度:0.85mm
工作温度范围:-55°C to +155°C
每卷数量:5000
| 上海 0 新加坡 0 英国2825 | 1 | 25 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):35mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DPAK
封装类型:DPAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:7A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):60mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
封装类型:SOIC
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:3.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
| 上海 0 新加坡 0 英国2500 | 1 | 1 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):250mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DPAK
封装类型:DPAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:0.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
| 上海 0 新加坡 0 英国4785 | 1 | 1 | | 删除 |
 | MULTICOMP - SP-L-0200-ST - 位置传感器 直线型 膜式 200MM |
针脚数:3
IP密封等级:IP66
工作温度范围:-40°C to 50°C
总宽 (mm):20.32mm
总高度:0.5mm
机械寿命:1,000,000 Cycles
电阻:10kohm
粘性材料:3M-467-200 MP
范围/量程:Rectilinear
走线长度:200mm
连接类型:Solder tabs
长度:215.86mm
额定功率 @ 25°C:1W
| 上海 0 新加坡5 英国3 | 1 | 1 | | 删除 |
