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SANYO - ECH8621R-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A ECH8   模块配置:Dual N Channel 晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:8A 电压, Vds 最大:20V 开态电阻, Rds(on):20mohm 电压 @ Rds测量:4.5V 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V 功耗:1.4W 封装类型:ECH8 封装类型:ECH8 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:8A 上海 0 新加坡 0 英国100 1 1 删除
TEXAS INSTRUMENTS - CDCM61004RHBT - 芯片 时钟发生器 1:4 超低抖动 32QFN   时钟类型:锁相环时钟驱动器 频率:683.28MHz 输出数:4 乘法器/除法器数:4 电源电流:180mA 电源电压范围:3V to 3.6V 芯片封装类型:QFN 针脚数:32 工作温度范围:-40°C to +85°C SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:QFN 器件标号:61004 接口类型:LVCMOS 电源电压 最大:3.6V 电源电压 最小:3V 类型:Clock Generator 表面安装器件:表面安装 输入电流:200mA 输入类型:Crystal or LVCMOS 输出类型:LVCMOS / LVDS / LVPECL 上海 0 新加坡3 英国200 1 1 删除