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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N100 - 场效应管 MOSFET N TO-247   晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id 最大值:15A 电压, Vds 最大:1000V 开态电阻, Rds(on):0.7ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:360W 工作温度范围:9453130 封装类型:TO-247 针脚数:3 功率, Pd:360W 封装类型:TO-247 封装类型, 替代:SOT-249 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:1000V 电流, Id 连续:15A 电流, Idm 脉冲:60A 表面安装器件:通孔安装 通态电阻, Rds on 最大:0.7ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V 上海 0 新加坡 0 英国3 1 1 删除