 | ZETEX - ZXMN3A03E6 - 场效应管 MOSFET N SOT-23-6 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:4.6A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.05ohm
电压 @ Rds测量:10V
??压, Vgs 最高:20V
功耗:1.7W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SOT-23
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:3A3
功率, Pd:1.1W
封装类型:SOT-23
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:4.6A
电流, Idm 脉冲:17A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.05ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
| 上海 0 新加坡 0 英国501 | 1 | 5 | | 删除 |
 | IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH32N50 - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:32A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.15ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:360W
工作温度范围:9453130
封装类型:TO-247
针脚数:3
功率, Pd:360W
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:32A
电流, Idm 脉冲:128A
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on 最大:0.15ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
| 上海 0 新加坡7 英国36 | 1 | 1 | | 删除 |
