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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
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操作 |
 | TEXAS INSTRUMENTS - SN74LS125AN - 芯片 总线缓冲器 |
封装类型:DIP
针脚数:14
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
器件标号:74125
电源电压 最大:5.25V
电源电压 最小:4.75V
表面安装器件:通孔安装
输出电流 最大:16mA
逻辑芯片功能:Quad Bus Buffer Gate with 3-State Output
逻辑芯片基本号:74125
逻辑芯片系列:LS
| 上海 0 新加坡6 英国430 | 1 | 1 | | 删除 |
 | HELLERMANN TYTON - GSS7 - 耐热套管 HELAGLASS 7mm 25M |
套管类型:编织
主体材料:Glass Fibre with Silicone
内径:7mm
颜色:White
附件类型:Sleeving
材料:Glass Fibre with Silicone
电缆直径, 最大:7mm
| 上海 0 新加坡 0 英国8 | 1 | 1 | | 删除 |
 | VISHAY SILICONIX - SI4539ADY-T1-E3 - 双MOSFET NP 每卷2500 |
模块配置:NP
晶体管极性:N沟道/P沟道互补
漏极电流, Id 最大值:4.4A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.036ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:1.1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
每卷数量:2500
表面安装器件:表面安装
N沟道栅极电荷 Qg:13nC
P沟道栅极电荷 Qg:15nC
功率, Pd:1.1W
带子宽度:12mm
最高电压, Vds P沟道:30V
漏极连续电???, Id P沟道:3.7A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds N沟道 1:30V
电压, Vds P沟道 1:30V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:5.9A
电流, Idm 脉冲:30A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.036ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.053ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.053ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.09ohm
通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.053ohm
| 上海 0 新加坡 0 英国1 | 2,500 | 1 | | 删除 |
 | MITUTOYO - 350-351 - 数字千分尺头 1英寸/25MM |
最大量程:25mm
Graduations:0.001mm
分辨率:0.001mm
刻度:0.001mm
最小量程:0mm
精度:± 2μm
精度, mm/英寸:0.0001"
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
 | NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM4040CIM3-8.2/NOPB - 精密电压基准 微功率 SOT-23 |
基准源电压:8.2V
容差, 基准电压:41mV
温度系数 ±:100ppm/°C
封装形式:SOT-23
针脚数:3
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
器件标号:4040
表面安装器件:表面安装
容差, 基准电压 & 老化:0.5%
最大功耗:306mW
电压基准类型:并联
| 上海 0 新加坡30 英国23 | 1 | 1 | | 删除 |
