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TEXAS INSTRUMENTS - SN74LS125AN - 芯片 总线缓冲器   封装类型:DIP 针脚数:14 工作温度范围:0°C to +70°C SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:DIP 器件标号:74125 电源电压 最大:5.25V 电源电压 最小:4.75V 表面安装器件:通孔安装 输出电流 最大:16mA 逻辑芯片功能:Quad Bus Buffer Gate with 3-State Output 逻辑芯片基本号:74125 逻辑芯片系列:LS 上海 0 新加坡6 英国430 1 1 删除
HELLERMANN TYTON - GSS7 - 耐热套管 HELAGLASS 7mm 25M   套管类型:编织 主体材料:Glass Fibre with Silicone 内径:7mm 颜色:White 附件类型:Sleeving 材料:Glass Fibre with Silicone 电缆直径, 最大:7mm 上海 0 新加坡 0 英国8 1 1 删除
VISHAY SILICONIX - SI4539ADY-T1-E3 - 双MOSFET NP 每卷2500   模块配置:NP 晶体管极性:N沟道/P沟道互补 漏极电流, Id 最大值:4.4A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.036ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压, Vgs th 典型值:1V 功耗:1.1W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOIC 针脚数:8 封装类型:SOIC 晶体管数:2 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:2500 表面安装器件:表面安装 N沟道栅极电荷 Qg:13nC P沟道栅极电荷 Qg:15nC 功率, Pd:1.1W 带子宽度:12mm 最高电压, Vds P沟道:30V 漏极连续电???, Id P沟道:3.7A 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds N沟道 1:30V 电压, Vds P沟道 1:30V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:5.9A 电流, Idm 脉冲:30A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.036ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.053ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.053ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.09ohm 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.053ohm 上海 0 新加坡 0 英国1 2,500 1 删除
MITUTOYO - 350-351 - 数字千分尺头 1英寸/25MM   最大量程:25mm Graduations:0.001mm 分辨率:0.001mm 刻度:0.001mm 最小量程:0mm 精度:± 2μm 精度, mm/英寸:0.0001" 无库存 1 1 删除