 | IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50 - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:30A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.16ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:360W
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:227nC
功率, Pd:360W
单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J
封装类型:TO-247
时间, trr 典型值:250ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
最大重复雪崩能量 Ear:45mJ
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电压变化率 dv/dt:5V/ns
电流, Id 连续:30A
电流, Idm 脉冲:120A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on 最大:0.16ohm
重量:6g
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
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