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ANALOG DEVICES - ADG608BNZ - 芯片 模拟多路复用器 8路   电源电流:50nA 通态电阻:22ohm 电源电压范围:2.9V to 3.63V, ± 4.5V to ± 5.5V 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:PDIP 针脚数:16 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:PDIP 器件标号:608 电源电压 最大:5V 电源电压 最小:3V 表面安装器件:通孔安装 多路复用器数:1 接口类型:Parallel 模拟复接器类型:CMOS 电源电压:双 上海 0 新加坡9 英国60 1 1 删除
HAMLIN ELECTRONICS - 59170-1-U-00-C - 接近传感器   接近传感器 SMD SPST-NO 无库存 1 1 删除
SPC TECHNOLOGY - SPC15355 - 连接器 D-SUB   连接器 D-SUB 美国 0 上海 0 美国47 新加坡300 1 1 删除
TR FASTENERS - M5- HFBR-N100- - 全高螺母 黄铜 镀镍 M5   螺纹尺寸:M5 材料:Brass 镀层:Nickel SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 螺纹???寸, 米制:M5 上海5 新加坡10 英国63 100 1 删除
ANALOG DEVICES - ADG507AKRZ - 芯片 模拟多路复用器 8路   通态电阻:280ohm 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:WSOIC 针脚数:28 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOIC 器件标号:507 电源电压 最大:16.5V 电源电压 最小:10.8V 表面安装器件:表面安装 多路复用器数:2 接口类型:Parallel 模拟复接器类型:CMOS 电源电压:双 上海 0 新加坡10 英国13 1 1 删除
APSA - 1650/3.0 SW - 电源延长线 欧式2芯 黑色 3.0米   导体尺寸:0.75mm2 电缆类型:H03VVH2-F2x0.75 额定电压:250V AC 额定电流:2.5A Mains Plug Type:Euro 引线长度:3m 电缆长度:3m 连接器类型 A端:Euro Plug 连接器类型 B端:Euro Socket 连接电缆类型:电源线 长度:3m 颜色:Black 颜色, 外绝缘层:黑色 额定电压, 交流:250V 上海 0 新加坡 0 英国12 1 1 删除
ANALOG DEVICES - AD7590DIKNZ - 芯片 四开关 SPST 锁存   模拟开关类型:SPST 通道数:4 通态电阻, Rds on 最大:60ohm 时间, t off:400ns 时间, t on:250ns 工作温度范围:0°C to +70°C 封装类型:DIP 针脚数:16 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:DIP 器件标号:7590 工作温度最低:0°C 工作温度最高:70°C 开关数:4 开态电阻, Rds(on):90ohm 接口类型:CMOS / TTL 温度范围:商用 电源电压:双 电源电压 最大:15V 芯片标号:7590 表面安装器件:通孔安装 通态电阻:60ohm 逻辑功能号:7590 上海 0 新加坡 0 英国46 1 1 删除
IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N80 - 场效应管 MOSFET N TO-247   晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id 最大值:15A 电压, Vds 最大:800V 开态电阻, Rds(on):0.6ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:300W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-247 针脚数:3 N沟道栅极电荷 Qg:200nC 功率, Pd:300W 封装类型:TO-247 时间, trr 典型值:250ns 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 最大重复雪崩能量 Ear:30mJ 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:800V 电压变化率 dv/dt:5V/ns 电流, Id 连续:15A 电流, Idm 脉冲:60A 结温, Tj 最低:-55°C 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器件:通孔安装 通态电阻, Rds on 最大:0.6ohm 重量:6g 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V 上海 0 新加坡 0 英国57 1 1 删除
ELMA - 040-4030 - 旋钮帽 红色   旋钮 / 表盘类型:圆形无标志 旋钮直径:21mm 旋钮材料:聚酰胺 直径, 旋钮/表盘 - 米制:17.5mm 颜色:红 高度, 旋钮/表盘 - 米制:5.4mm 上海 0 新加坡 0 英国219 1 5 删除
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FSA1156P6X. - 芯片 模拟开关 SPST   模拟开关类型:SPST 通道数:1 带宽:300MHz 通态电阻, Rds on 最大:900mohm 时间, t off:22ns 时间, t on:15ns 电源电压范围:1.65V to 5.5V 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:SC-70 针脚数:6 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SC-70 SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010) 器件标号:1156 工作温度最低:-40°C 工作温度最高:85°C 开关数:1 开态电阻, Rds(on):0.75ohm 电源电压:单 电源电压 最大:5.5V 电源电压 最小:1.65V 芯片标号:1156 表面安装器件:表面安装 通态电阻:0.75ohm 逻辑功能号:1156 上海25 新加坡35 英国 0 1 1 删除
IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N60Q - 场效应管 MOSFET N TO-247   晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id 最大值:26A 电压, Vds 最大:600V 开态电阻, Rds(on):0.25ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:360W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-247 针脚数:3 N沟道栅极电荷 Qg:150nC 功率, Pd:360W 单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J 封装类型:TO-247 时间, trr 典型值:250ns 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 最大重复雪崩能量 Ear:45mJ 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:600V 电压变化率 dv/dt:5V/ns 电流, Id 连续:26A 电流, Idm 脉冲:104A 结温, Tj 最低:-55°C 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器件:通孔安装 通态电阻, Rds on 最大:0.25ohm 重量:6g 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V 上海 0 新加坡 0 英国45 1 1 删除