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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
操作 |
 | NATIONAL SEMICONDUCTOR - DS485TM/NOPB - 芯片 线路驱动器 |
芯片 线路驱动器
| 美国 0 上海 0 美国 0 新加坡 0 英国55 | 1 | 1 | | 删除 |
 | TEXAS INSTRUMENTS - SN75LVDS387DGG - 芯片 LVDS驱动器 |
接口类型:LVDS
封装形式:TSSOP
针脚数:64
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TSSOP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:75
温度范围:商用
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
芯片标号:75LVDS387
表面安装器件:表面安装
数据率:630Mbps
电源电流:85mA
输出电流 最大:24mA
驱动器数:16
| 上海 0 新加坡2 英国109 | 1 | 1 | | 删除 |
 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6994S - 场效应管 MOSFET 双 N SMD SO-8 |
晶体管极???:N
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):21mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.9V
功耗:2W
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:1
晶体管类型:PowerTrench
表面安装器件:表面安装
漏极连续电流, Id N沟道(1):6.9A
漏极连续电流, Id N沟道(2):8.2A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:6.9A
脉冲电流, Idm N沟道(1):20A
脉冲电流, Idm N沟道(2):30A
通态电阻, Rds on N沟道 1:0.015ohm
通态电阻, Rds on N沟道 2:0.021ohm
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| EAO - 51-903.2. - 透镜 |
透镜
红色
方形
用于按钮开关
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
 | KLAUKE TEXTRON - 3/R8 - 压接端子 凸耳 3/R8 |
连接器类型:Ring
表面安装器件:Crimp
螺栓/接片尺寸:8mm
接触材料:铜
接触镀层:Tin
电线横截面积 最大:16mm2
电缆直径, 最大:5.5mm
端接方法:Crimp
触点材料:Copper
触点镀层:Tin
连接器类型:Lug, Compression
每包数量:10
螺栓尺寸:8mm
| 上海 0 新加坡 0 英???2 | 10 | 1 | | 删除 |
| EAO - 19-951.5 - 开关配件 透镜 |
开关配件 透镜
| 美国 0 上海 0 美国81 新加坡 0 | 1 | 1 | | 删除 |
 | OSRAM SYLVANIA - DS9840 - 灯 DULUX? S 冷光 9W |
电源电压:60V
灯安装类型:2 Pin
额定功率:9W
光通量:600lm
长度:167mm
外径:19.5mm
色温, ???型值:4000K
光通量, 典型值:600lm
外宽:34mm
外部深度:19.5mm
外部长度/高度:168mm
工作寿命:8000h
总输出光量:600lm
电源电压 交流 最大:240V
电源电压 交流 最小:220V
灯泡平均寿命:8000h
| 上海 0 新加坡 0 英国162 | 1 | 1 | | 删除 |
 | HARWIN - M22-1900005 - 跳线插座 黑色 (25只/包) |
系列:PC104
公/母:Socket
外宽:3.9mm
外部深度:1.95mm
外部长度/高度:3.5mm
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作电压:250V
引脚节距:2mm
排数:1
接触电阻:30mohm
插拔次数:300
绝缘电阻:100000Mohm
节距:2mm
触点材料:铍铜
触点镀层:金
路数:2
额定电流:2A
外壳类型:玻璃填充热塑性塑料UL94V-0
拆开力:0.6N
接合力:4.5N
温度 @ 电流测量:25°C
| 上海 0 新加坡 0 英国1241 | 25 | 1 | | 删除 |
 | HMC BRAUER - V75/2B - 铰接夹具 |
螺纹尺寸 - 米制:M5
长度:57mm
重量:0.05kg
高度:98mm
保持力:75kg
垂直臂长度:31mm
孔中心距:24 x 16
孔径:4.4mm
| 上海 0 新加坡2 英国29 | 1 | 1 | | 删除 |
 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6986AS - 场效应管 MOSFET 双 N SMD SO-8 |
晶体???极性:N
漏极电流, Id 最大值:7.9mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):29mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.9V
功耗:2W
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:1
晶体管类型:PowerTrench
表面安装器件:表面安装
漏极连续电流, Id N沟道(1):6.5A
漏极连续电流, Id N沟道(2):7.9A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:6.5A
脉冲电流, Idm N沟道(1):20A
脉冲电流, Idm N沟道(2):30A
通态电阻, Rds on N沟道 1:0.020ohm
通态电阻, Rds on N沟道 2:0.029ohm
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 | WUERTH ELEKTRONIK - 82545250 - 压敏电阻/高电涌抑制器 SMD 1812 25Vrms |
浪涌电流:800A
系列:WE-VS
抑制器类型:Varistor
钳位电压:72V
瞬态能量 10/1000us 最大:3.7J
额定电压, 直流:30V
额定电压, 交流:25V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:1812
电容:2950pF
电流, 峰值 8/20us 最大:800A
表面安装器件:表面安装
钳位电压, 8/20us 最大:72V
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
