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TOSHIBA - 2SK3471(TE12LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.5A 500V SOT89   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:500mA 电压, Vds 最大:500V 开态电阻, Rds(on):18ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:30V 功耗:1.5W 封装类型:SOT-89 封装类型:PW-Mini 晶体管类型:Power MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:500V 电流, Id 连续:0.5A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:4V 上海 0 新加坡 0 英国389 1 1 删除
VISHAY SFERNICE - TS53YL503MR10. - 微调电位器   微调电位器 美国 0 上海 0 美国165 新加坡32 1 1 删除