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LATTICE SEMICONDUCTOR - LFXP6C-5TN144C - 芯片 FPGA 1.8V 带闪存及快启功能   逻辑块数:720 宏单元数:3000 系列类型:XP 速度级数:5 系列:LFXP 时钟管理:PLL Core Supply Voltage:1.71V to 3.465V 输入/输出电源电压:3.465V 最高工作频率:400MHz 工作温度范围:0°C to +85°C 封装类型:TQFP 针脚数:144 封装类型:TQFP 工作温度最低:0°C 工作温度最高:85°C 器件标号:6 电源电压:1.8V 电源电压 最大:3.465V 电源电压 最小:1.71V 表面安装器件:表面安装 逻辑芯片功能:Programmable FPGA 逻辑芯片基本号:6C 可编程逻辑类型:FPGA 输入/输出接口标准:LVTTL, LVCMOS, PCI, LVDS, Bus-LVDS, LVPECL, RSDS 输入/输出线数:100 频率:400MHz 上海 0 新加坡 0 英国33 1 1 删除
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDMC6890NZ - 场效应管 MOSFET N型 MLP 双管 SMD   晶体管极性:N 电压, Vds 最大:20V 开态电阻, Rds(on):68mohm 阈值电压, Vgs th 典型值:0.9V 功耗:1.92W 封装类型:Power 33 针脚数:6 SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010) 封装类型:Power 33 晶体管类型:PowerTrench 表面安装器件:表面安装 SMD标号:6890N 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:4A 电流, Idm 脉冲:10A 阈值电压, Vgs th 最高:2V 无库存 1 1 删除
DIODES INC. - ZXMN3A06DN8TA - 场效应管 MOSFET 双N型 30V SO8   模块配置:Dual N Channel 晶体管极性:Dual N 漏极电流, Id 最大值:6.2A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.035ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压, Vgs th 典型值:1V 功耗:2.1W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOIC SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOIC 晶体管数:2 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装 针脚配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1) 功率, Pd:1.25W 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:6.2A 电流, Idm 脉冲:30A 上海 0 新加坡 0 英国149 1 1 删除