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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BC635 - 晶体管 NPN 1A 45V TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:1W
集电极直流电流:1A
直流电流增益 hFE:40
封装类型:TO-92
针脚数:3
功耗:1W
封装类型:TO-92
晶体管类型:Switching
最大连续电流, Ic:500mA
直流电流增益 hfe, 最小值:25
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:500mV
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上海 0 新加坡168 英国1010 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BSP52.. - 达林顿双极性晶体管 |
达林顿双极性晶体管
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FJB102TM - 达林顿晶体管 |
达林顿晶体管
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无库存 |
1 |
800 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - PN2222ATF - 双极性晶体管 |
双极性晶体管
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美国 0 上海 0 美国6739 新加坡 0 |
1 |
1 |
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ROHM - SSTA28T116 - 晶体管 SOT-23 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:200MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:10000
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
功耗:200mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:10000
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.2V
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上海 0 新加坡250 英国2667 |
1 |
1 |
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ROHM - SSTA06T116 - 晶体管 SOT-23 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
功耗:200mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:250mV
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上海 0 新加坡350 英国2485 |
1 |
1 |
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ROHM - SST6839T216 - 晶体管 SOT-23 NPN |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:140MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
功耗:200mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:500mV
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上海 0 新加坡 0 英国9990 |
1 |
1 |
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ROHM - SST6838T216 - 晶体管 SOT-23 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:180MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:50mA
直流电流增益 hFE:200
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
功耗:200mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:50mA
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:400mV
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上海 0 新加坡 0 英国9990 |
1 |
1 |
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ROHM - SST4401T116 - 晶体管 SOT-23 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:150mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
功耗:200mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Medium Power
最大连续电流, Ic:150mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:400mV
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上海 0 新加坡 0 英国1808 |
1 |
1 |
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ROHM - SST2222AT116 - 晶体管 SOT-23 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:150mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
功耗:200mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Medium Power
最大连续电流, Ic:150mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
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上海 0 新加坡194 英国2416 |
1 |
1 |
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ROHM - MMSTA28T146 - 晶体管 SMD SC-59 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:200MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:10000
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
功耗:200mW
封装类型:SOT-346
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:10000
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.2V
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上海 0 新加坡 0 英国2862 |
1 |
1 |
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ROHM - MMSTA06T146 - 晶体管 SMD SC-59 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
功耗:200mW
封装类型:SOT-346
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:250mV
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上海 0 新加坡300 英国2160 |
1 |
1 |
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ROHM - MMST2222AT146 - 晶体管 SMD SC-59 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:150mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
功耗:200mW
封装类型:SOT-346
晶体管类型:Medium Power
最大连续电流, Ic:150mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
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上海 0 新加坡 0 英国1730 |
1 |
1 |
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ROHM - DTDG14GPT100 - 晶体管 数字式 500mA MPT NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:80MHz
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
功耗:500mW
封装类型:SOT-89
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:500mA
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:400mV
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上海 0 新加坡 0 英国70 |
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10 |
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ROHM - DTD143EKT146 - 晶体管 数字式 SC-59 500mA NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:200MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:47
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
功耗:200mW
封装类型:SOT-346
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:500mA
直流电流增益 hfe, 最小值:47
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡100 英国1965 |
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