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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMSZ4681T1G - 齐纳二极管 2.4V |
电压, Vz:2.4V
最大功耗:0.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:2-SOD-123
测试电流:50μA
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无库存 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - REF5025ID - 芯片 电压基准 2.5V 8-SOIC |
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:8-SOIC
基准源电压:2.5V
容差, 基准电压 & 老化:0.05%
温度系数 ±:3 ppm
电压基准类型:串联
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国21 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - LM235Z. - 芯片 温度传感器 3TO-92 |
针脚数:3
封装类型:3-TO-92
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无库存 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - LM4040A20IDBZT - 芯片 并联电压基准 2.048V |
工作温度范围:-40°C to +85°C
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:3-SOP
基准源电压:2.048V
容差, 基准电压 & 老化:0.1%
温度系数 ±:15 ppm
电压基准类型:并联
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上海19
新加坡28
英国 0 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - REF02AU - 芯片 串联电压基准 5V 8-SOIC |
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:8-SOIC
基准源电压:5V
容差, 基准电压 & 老化:0.2%
温度系数 ±:4 ppm
电压基准类型:串联
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上海 0
新加坡904
英国538 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - TPS79533DCQ - 芯片 线性稳压器 3.3V 500mA |
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:6-SOT-223
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上海 0
新加坡408
英国 0 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - LM285D-1.2G - 芯片 并联电压基准 1.235V 8-SOIC |
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:8-SOIC
基准??电压:1.235V
容差, 基准电压 & 老化:1%
温度系数 ±:80ppm
电压基准类型:并联
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上海 0
新加坡 0
英国62 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - DF3A6.8FUT1G - 齐纳二极管 6.8V 双管 共阳极 SC70 |
电压, Vz:6.8V
最大功耗:200mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
??装形式:SC-70
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SC70
总功率, Ptot:0.2W
测试电流:5mA
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡499
英国3726 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1N968B - 齐纳二极管 20V 0.5W DO35 |
电压, Vz:20V
最大功耗:500mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
封装类型:DO-35
测试电流:6.2mA
表面安装器件:轴向引线
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国1017 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BZX79C3V3 - 齐纳二极管 0.5W 3.3V DO-35 |
电压, Vz:3.5V
最大功耗:500mW
封装形式:DO-35
针脚数:2
封装类型:DO-35
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
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上海 0
新加坡 0
英国1286 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BZX55C4V3 - 齐纳二极管 0.5W 4.3V DO-35 |
电压, Vz:4.6V
最大功耗:500mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
???装形式:DO-35
针脚数:2
封装类型:DO-35
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
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上海 0
美国17130
新加坡2400
英国581 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1N972B - 齐纳二极管 30V 0.5W DO35 |
电压, Vz:30V
最大功耗:500mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
封装类型:DO-35
测试电流:4.2mA
表面安装器件:轴向引线
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上海 0
美国 0
新加坡5
英国1707 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1N759A - 齐纳二极管 0.5W 12V DO35 |
电压, Vz:12V
最大功耗:500mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
封装类型:DO-35
测试电流:20mA
表面安装器件:轴向引线
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上海 0
美国5545
新加坡 0
英国1266 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BZX84C22. - 齐纳二极管 0.35W 22V SOT-23 |
电压, Vz:23.4V
最大功耗:350mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装形式:SOT-23
针脚数:3
封装类型:SOT-23
测试电流:20mA
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BZX84C3V6 - 齐纳二极管 0.35W 3.6V SOT-23 |
电压, Vz:3.6V
最大功耗:350mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装形式:SOT-23
针脚数:3
封装类型:SOT-23
测试电流:20mA
表面安装器件:表面安装
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上海 0
美国2983
新加坡18
英国851 |
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