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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SEMELAB - BDT64C - 晶体管达林顿 TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:120V
功耗, Pd:125W
集电极直流电流:12A
直流电流增益 hFE:1500
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:125W
器件标记:BDT64C
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:125W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:12A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:120V
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:12A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:12A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0
新加坡 0
英国578 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BDT64A - 晶体管达林顿 TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
功耗, Pd:125W
集电极直流电流:12A
直流电流增益 hFE:1500
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:125W
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:125W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:12A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:12A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:12A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BDT63C - 晶体管达林顿 TO-220 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:120V
截止频率 ft, 典型值:0.05MHz
功耗, Pd:90W
集电极直流电流:10A
直流电流增益 hFE:3000
???装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:90W
器件标记:BDT63C
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:90W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:10A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:120V
电流, Ic hFE:3A
电流, Ic 最大:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:10A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0
新加坡 0
英国800 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BDT63A - 达林顿晶体管 TO-220 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:0.05MHz
功耗, Pd:90W
集电极直流电流:10A
直流电流增益 hFE:3000
??装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:90W
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:90W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:10A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:3A
电流, Ic 最大:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:10A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0
新加坡 0
英国413 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BDT62C - 晶体管达林顿 TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:120V
功耗, Pd:90W
集电极直流电流:10A
直流电流增益 hFE:200
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:90W
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:90W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:10A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:120V
电流, Ic hFE:3A
电流, Ic 最大:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:10A
饱和电压, Vce sat 最大:-2V
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上海 0
新加坡 0
英国318 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BDT62A - 晶体管达林顿 TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
功耗, Pd:90W
集电极直流电流:10A
直流电流增益 hFE:200
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:90W
器件标记:BDT62A
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:90W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:10A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:3A
电流, Ic 最大:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:10A
饱和电压, Vce sat 最大:-2V
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上海 0
新加坡 0
英国265 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BD650 - 晶体管达林顿 TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
功耗, Pd:62.5W
集电极直流电流:-8A
直流电流增益 hFE:2700
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:62.5W
器件标记:BD650
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:62.5W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:8A
满功率温度:25°C
电流, Ic hFE:3A
电流, Ic 最大:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:750
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:8A
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上海31
新加坡15
英国270 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BD649 - 晶体管达林顿 TO-220 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:100V
功耗, Pd:62.5W
集电极直流电流:8A
直流电流增益 hFE:1500
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:62.5W
器件标记:BD649
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:62.5W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:8A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:120V
电流, Ic hFE:3A
电流, Ic 最大:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:750
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:8A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0
新加坡54
英国111 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - HSKE5000/2200-0.5 - 二极管 高电压整流器 |
二极管类型:Standard Recovery
电压, Vrrm:12kV
电流, If 平均:0.6A
正向电压 Vf 最大:11V
??流, Ifs 最大:60A
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装形式:F1
针脚数:2
外径:15mm
外部长度/高度:101mm
封装类型:F1
正向电压, 于If:11V
热阻, 结至外壳 A:15°C/W
电压, Vr 最高:11V
电流, Ifsm:60A
结温, Tj 最高:150°C
螺纹尺寸:M5
击穿电压:15kV
反向电流, Ir 最大值:1A
最大平均正向电流, If 油冷却:0.72A
输入电压 有效值:5kV
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上海 0
新加坡20
英国31 |
1 |
1 |
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ALLEGRO MICROSYSTEMS - A6841SA-T - 芯片 达林顿驱动器 串行 8位 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
工作温度范围:-20°C to +85°C
封装??型:DIP
针脚数:18
器件标记:A6841SA-T
封装类型:DIP
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
表面安装器件:通孔安装
器件标号:5841
工作温度最低:-20°C
工作温度最高:85°C
最大连续电流, Ic:500mA
电源电压 最大:5V
电源电压 最小:3.3V
芯片标号:5841
输入类型:BiMOS II
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:500mA
逻辑功能号:5841
驱动芯片类型:功率驱动器
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上海 0
新加坡355
英国 0 |
1 |
1 |
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ALLEGRO MICROSYSTEMS - A6821SA-T - 芯片 达林顿驱动器 串行输入 8位 |
晶体管极性:NPN
工作温度范围:-20°C to +85°C
封装类型:DIP
针脚数:16
器件标记:A6821SA-T
封装类型:DIP
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
表面安装器件:通孔安装
器件标号:5821
工作温度最低:-20°C
工作温度最高:85°C
最大连续电流, Ic:500mA
电源电压 最大:5V
电源电压 最小:3.3V
芯片标号:5821
输入类型:BiMOS II
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:500mA
逻辑功能号:5821
驱动芯片类型:功率驱动器
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上海 0
新加坡 0
英国704 |
1 |
1 |
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ALLEGRO MICROSYSTEMS - A6801SA-T - 芯片 达林顿晶体管阵列 锁存 |
晶??管极性:NPN
工作温度范围:-20°C to +85°C
封装类型:DIP
针脚数:22
封装类型:DIP
晶体管数:8
晶体管类型:功率达林顿
表面安装器件:通孔安装
器件标号:5801
工作温度最低:-20°C
工作温度最高:85°C
最大连续电流, Ic:600mA
电源电压 最大:5V
电源电压 最小:3.3V
芯片标号:5801
输入类型:CMOS
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:0.5A
通道数:8
逻辑功能号:5801
驱动芯片类型:功率驱动器
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停产 |
1 |
1 |
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ALLEGRO MICROSYSTEMS - A6800SA-T - 芯片 达林顿晶体管阵列 锁存 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
工作温度范围:-20°C to +85°C
封??类型:DIP
针脚数:14
器件标记:A6800SA-T
封装类型:DIP
晶体管数:4
晶体管类型:功率达林顿
表面安装器件:通孔安装
器件标号:6800
工作温度最低:-20°C
工作温度最高:85°C
最大连续电流, Ic:600mA
电源电压 最大:5V
电源电压 最小:3.3V
芯片标号:6800
输入类型:CMOS
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:0.5A
通道数:4
逻辑功能号:6800
驱动芯片类型:功率驱动器
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上海 0
美国 0
新加坡54
英国3180 |
1 |
1 |
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MICROSEMI - 60S10E3 - 二极管6A 1000V |
二极管类型:标准恢复
电压, Vrrm:1000V
电流, If 平均:6A
正向电压 Vf 最大:1V
电流, Ifs 最大:400A
工作温度范围:-40°C to +175°C
封装形式:60S
针脚数:2
封装类型:60S
正向电压, 于If:1V
电流, Ifsm:382A
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:轴向引线
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无库存 |
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1 |
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MICROSEMI - 60S8E3 - 二极管 6A 800V |
二极管类型:标准恢复
电压, Vrrm:800V
电流, If 平均:6A
电流, Ifs 最???:400A
封装形式:60S
封装类型:60S
正向电压, 于If:1V
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停产 |
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